[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，所述基底包括相邻的第一区域以及第二区域，其中，所述第一区域包括间隔设置的多个第一子区域以及间隔设置的多个第二子区域；

对多个所述第一子区域以及所述第二区域进行第一预定处理，使得多个所述第一子区域形成第一掺杂区域，且所述第二区域的部分形成预备掺杂区域；

对多个所述第二子区域以及所述预备掺杂区域进行第二预定处理，使得多个所述第二子区域形成第二掺杂区域，且所述预备掺杂区域形成目标掺杂区域，所述第一预定处理以及所述第二预定处理分别包括离子注入，所述第一预定处理与所述第二预定处理的掺杂类型不同，且所述第一预定处理与所述第二预定处理的掺杂浓度不同；

在所述基底的部分表面上形成第一器件层，得到第一器件，且在所述基底的部分表面上形成第二器件层，得到第二器件，其中，所述第一器件层在所述基底中的投影位于所述第一掺杂区域或者所述第二掺杂区域中，所述第二器件层在所述基底中的投影位于所述目标掺杂区域中，

提供基底，包括：

提供预备基底，且对所述预备基底进行热氧化处理，使得所述预备基底形成层叠的衬底以及氧化层，其中，所述衬底包括相邻的所述第一区域以及第一预备区域；

至少对所述第一预备区域进行所述离子注入，得到预定阱区，使得所述第一预备区域形成所述第二区域，得到所述基底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述第一子区域以及所述第二区域进行第一预定处理，使得多个所述第一子区域形成第一掺杂区域，且所述第二区域的部分形成预备掺杂区域，包括：

在所述基底的表面上形成第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜，通过所述第一预定处理，使得多个所述第一子区域形成所述第一掺杂区域，且部分所述第二区域形成所述预备掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多个所述第二子区域以及所述预备掺杂区域进行第二预定处理，使得多个所述第二子区域形成第二掺杂区域，且所述预备掺杂区域形成目标掺杂区域，包括：

在所述基底的表面上形成第二掩膜层；

以所述第二掩膜层为掩膜，通过所述第二预定处理，使得多个所述第二子区域形成所述第二掺杂区域，且所述预备掺杂区域形成所述目标掺杂区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的部分表面上形成第一器件层，得到第一器件，包括：

在所述氧化层的部分裸露表面上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括依次层叠的第一栅氧层以及第一栅极，所述第一栅极结构在所述基底中的投影覆盖一个所述第一掺杂区域或者一个所述第二掺杂区域；

在所述第一栅极结构两侧的所述基底中分别形成第一源区以及第一漏区，得到所述第一器件。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的部分表面上形成第二器件层，得到第二器件，包括：

在所述氧化层的部分裸露表面上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括依次层叠的第二栅氧层以及第二栅极，所述第二栅极结构在所述基底中的投影覆盖所述目标掺杂区域；

在所述第二栅极结构两侧的所述基底中分别形成第二源区以及第二漏区，得到所述第二器件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一预定处理与所述第二预定处理中掺杂浓度较高的掺杂类型为预定类型，所述基底的掺杂类型与所述预定类型不同。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一器件包括高压MOS管，所述第二器件包括耗尽型MOS管。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为采用权利要求1至7中任一项所述的方法制作得到的。

9.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管为采用权利要求1至7中任一项所述的方法制作得到的，或者为权利要求8所述的半导体器件。