[发明专利]一种基于电池虚电检测装置及方法在审
申请号: | 202211546029.0 | 申请日: | 2022-12-05 |
公开(公告)号: | CN115542160A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 余展;许正杰;聂建波;王阿明 | 申请(专利权)人: | 南京模砾半导体有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/36 | 分类号: | G01R31/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏省南京市江北*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电池 检测 装置 方法 | ||
1.一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,包括中控系统(3)、MCU(4)、电流源(5)和待测电池(6),所述中控系统(3)、电流源(5)、待测电池(6)都与MCU(4)电性连接,所述MCU(4)、待测电池(6)都与电流源(5)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述电流源(5)为产生电流的电路。
3.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述MCU(4)用于控制电流源(5)和存储待测电池(6)的信息。
4.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述中控系统(3)用于接收MCU(4)传输过来的待测电池(6)的信息。
5.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述待测电池(6)用于给MCU(4)和电流源(5)供电。
6.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述电流源(5)包括电阻R1、电阻R2、N沟道MOS管Q1,所述N沟道MOS管Q1的G极连接电阻R2,所述N沟道MOS管Q1的S极连接地信号GND,所述N沟道MOS管Q1的D极连接电阻R1。
7.根据权利要求1所述的一种基于电池虚电检测装置,其特征在于,所述中控系统(3)包括显示模块(31)、KEY模块(32)、存储器(33)、微处理器(34)和网络接口(35),所述显示模块(31)、网络接口(35)都连接微处理器(34),所述KEY模块(32)连接网络接口(35),所述微处理器(34)连接存储器(33)。
8.一种基于电池虚电检测方法, 应用于如权利要求6所述的一种基于电池虚电检测装置, 其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:MCU(4)启动;
步骤S2:MCU(4)控制电流源(5)输出一个固定电流值,所述固定电流值根据电流源(5)的负载电阻来确定,然后中控系统(3)检测待测电池(6)电压或MCU(4)有没有掉电,若没有掉电,则表示待测电池(6)正常工作;若待测电池(6)电压或MCU(4)有掉电,则MCU(4)重启;
步骤S3:MCU(4)向中控系统(3)发送控制信息,若控制信息不包括控制标志则退出,否则表示待测电池(6)存在虚电,则中控系统(3)通过MCU(4)控制待测电池(6)进行维护;
步骤S4:维护完成后,MCU(4)控制电流源(5)对待测电池(6)进行虚电检测,若不存在虚电,则MCU(4)将控制信息中控制标志清除且退出,否则MCU(4)重启后转到步骤S3,若MCU(4)重启的次数达到10次,则MCU(4)会将待测电池(6)损坏的信息发送给中控系统(3),告诉检测人员此待测电池(6)需要维修。
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