[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202211551680.7 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115863146A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张士林;佘桃慈 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括晶圆刷(100)及晶圆清洗液喷头，且所述晶圆刷(100)与待清洗的晶圆(300)相接触，所述晶圆清洗液喷头与所述晶圆(300)的表面具有一定距离；
进行化学液清洗，通过所述晶圆清洗液喷头向所述晶圆(300)的表面供应化学清洗液；
进行去离子水清洗，通过所述晶圆清洗液喷头向所述晶圆(300)的表面供应去离子水；
其中，在所述化学清洗液及所述去离子水中，至少一个溶液为带有气泡的气泡液，以通过所述气泡液对所述晶圆(300)进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述晶圆清洗装置对所述晶圆(300)的清洗方式包括单面式清洗或双面式清洗。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：在清洗过程中，所述晶圆(300)的放置方式包括竖直放置或水平放置。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述晶圆清洗液喷头包括独立设置的去离子水喷头(201)及化学液喷头(202)。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述化学清洗液包括氨水、双氧水、盐酸、氢氟酸、硝酸、氢氧化铵及硫酸中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述化学清洗液为20℃～50℃的化学清洗液。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述气泡液的形成方法包括向所述化学清洗液和/或所述去离子水中施加气压形成带有气压的气泡液。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于：向所述化学清洗液和/或所述去离子水中加入的气体包括空气或氮气。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：在清洗过程中，所述晶圆(300)及所述晶圆刷(100)各自独立的做旋转运行。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：还包括重复进行所述化学液清洗及所述去离子水清洗的步骤，以及在清洗后进行晶圆干燥的步骤。
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