[发明专利]一种晶圆清洗方法

说明书

本申请提供一种晶圆清洗方法，所述晶圆清洗装置包括晶圆刷及晶圆清洗液喷头，且所述晶圆刷与待清洗的晶圆相接触，所述晶圆清洗液喷头与所述晶圆的表面具有一定距离，在采用所述晶圆清洗装置对所述晶圆进行清洗的过程中，通过在所述化学清洗液和/或所述去离子水中通入气体，可提供带有气泡的气泡液，以通过所述气泡液对所述晶圆进行清洗，可有效的将所述晶圆清洗干净，以提高对所述晶圆的清洗能力。

技术领域

本申请属于半导体制造领域，涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

化学机械平坦化制程(CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺，目前CMP已经广泛应用在如多晶硅平坦化、浅沟槽隔离(STI)平坦化、层间介质层(ILD)平坦化、钨(W)平坦化、铜互连(Cu)平坦化等工艺中。

在CMP工艺过程中，研磨液中的颗粒和研磨产物会不断的吸附在晶圆表面，虽然通过研磨头和研磨垫的转动，以及研磨头相对研磨垫的运动可以带走大部分研磨液和研磨产物，但在CMP工艺结束时，仍会有大量残余研磨液以及研磨产物吸附在晶圆表面上。因此，在半导体集成电路制造过程中，晶圆在CMP后需要继续经过一系列的清洗步骤，用以清除在CMP过程中，在晶圆表面残留的研磨液和微粒等缺陷，用以保证晶圆在后续加工制造中的质量。

常规的晶圆清洗步骤一般采用接触式刷洗晶圆的方法，即采用Brush刷洗法，待晶圆抛光之后，采用刷子配合清洗液和去离子水的方式对晶圆进行清洁，而在采用刷子清洗晶圆的过程中，仍会有很多微粒存留在晶圆的沟槽中，从而现有的晶圆清洗方式难以有效的将晶圆清洗干净，从而难以满足高质量产品的需求。

因此，提供一种晶圆清洗方法，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种晶圆清洗方法，用于解决现有技术中晶圆清洗方式难以有效的将晶圆清洗干净的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本申请提供一种晶圆清洗方法，包括以下步骤：

提供晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括晶圆刷及晶圆清洗液喷头，且所述晶圆刷与待清洗的晶圆相接触，所述晶圆清洗液喷头与所述晶圆的表面具有一定距离；

进行化学液清洗，通过所述晶圆清洗液喷头向所述晶圆的表面供应化学清洗液；

进行去离子水清洗，通过所述晶圆清洗液喷头向所述晶圆的表面供应去离子水；

其中，在所述化学清洗液及所述去离子水中，至少一个溶液为带有气泡的气泡液，以通过所述气泡液对所述晶圆进行清洗。

可选地，所述晶圆清洗装置对所述晶圆的清洗方式包括单面式清洗或双面式清洗。

可选地，在清洗过程中，所述晶圆的放置方式包括竖直放置或水平放置。

可选地，所述晶圆清洗液喷头包括独立设置的去离子水喷头及化学液喷头。

可选地，所述化学清洗液包括氨水、双氧水、盐酸、氢氟酸、硝酸、氢氧化铵及硫酸中的一种或组合。

可选地，所述化学清洗液为20℃～50℃的化学清洗液。

可选地，所述气泡液的形成方法包括向所述化学清洗液和/或所述去离子水中施加气压形成带有气压的气泡液。

可选地，向所述化学清洗液和/或所述去离子水中加入的气体包括空气或氮气。

可选地，在清洗过程中，所述晶圆及所述晶圆刷各自独立的做旋转运行。

可选地，还包括重复进行所述化学液清洗及所述去离子水清洗的步骤，以及在清洗后进行晶圆干燥的步骤。