[发明专利]一种光电耦合器制造方法及光电耦合器

权利要求书

1.一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，其特征在于，所述方法包括：

通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；

通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；

在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片；其中，所述第二芯片的顶部电极朝所述第一芯片的方向；

通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器。

2.根据权利要求1所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面的步骤，包括：

对第一芯片进行灌胶封装至露出所述第一芯片的底部电极，得到第一封装胶层；

在所述第一封装胶层的预设位置做通孔，并将通孔金属化得到第一金属柱、第二金属柱和第三金属柱；

通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极的区域进行生长，得到第一底部延长面；其中，所述底部电极延长面的面积大于所述第一芯片的底部电极的面积。

3.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面的步骤，包括：

通过增材制造方式在所述第一金属柱的区域设置所述第一顶部延长面；

通过增材制造方式在所述第二金属柱的区域设置所述第二顶部延长面；

通过增材制造方式在所述第三金属柱的区域设置所述第二底部延长面。

4.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路的步骤，包括：

通过增材制造方式将所述第一金属柱与所述第一芯片的顶部电极进行连接，得到所述第一导电通路。

5.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片的步骤，包括：

在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件；

在所述预制件的顶部与所述第一芯片相对应的位置设置第二芯片。

6.根据权利要求5所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在第一芯片的顶部电极方向的目标区域灌透明胶，得到预制件的步骤，包括：

将所第一芯片朝顶部电极方向的顶部电极区域、第一金属柱区域、第二金属柱区域和第三金属柱区域通过遮挡层遮挡，并灌胶封装得到第二封装胶层；

将所述遮挡层去除，并灌透明胶得到所述预制件。

7.根据权利要求6所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述将所第一芯片朝顶部电极方向的顶部电极区域、第一金属柱区域、第二金属柱区域和第三金属柱区域通过遮挡层遮挡的步骤，包括：

在所述第一封装层朝顶部电极方向进行掩膜形成掩膜层；

在所述掩膜层的非目标区域进行刻蚀形成所述遮挡层，并灌胶封装至所述遮挡层得到第三封装胶层；其中，所述非目标区域为所述顶部电极区域、所述第一金属柱区域、所述第二金属柱区域以外的区域。

8.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器的步骤，包括：

通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；

通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路，再进行灌胶封装得到光电耦合器。