[发明专利]一种光电耦合器制造方法及光电耦合器

说明书

本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，本申请提供了通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路。实现了发射芯片和接收芯片的最佳反应效果，提高了产品的一致性和稳定性，免基板封装，实现了小型化、超薄化封装形式。

技术领域

本申请涉及光电耦合器技术领域，特别是一种光电耦合器制造方法及光电耦合器。

背景技术

光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于光耦具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

目前最新的型贴片式光耦，都是采用发射芯片和接收芯片并排在同一平面上。

但是发射和接收的效果差，器件参数一致性差。

发明内容

鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，包括：

一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，所述方法包括：

通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；

通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；

在所述第一芯片的顶部电极方向的目标区域进行绝缘封装，并在所述第一芯片相对应的位置设置所述第二芯片；其中，所述第二芯片的顶部电极朝所述第一芯片的方向；

通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，以及将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，再进行灌胶封装得到光电耦合器。

优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面的步骤，包括：

对第一芯片进行灌胶封装至露出所述第一芯片的底部电极，得到第一封装胶层；

在所述第一封装胶层的预设位置做通孔，并将通孔金属化得到第一金属柱、第二金属柱和第三金属柱；

通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极的区域进行生长，得到第一底部延长面；其中，所述底部电极延长面的面积大于所述第一芯片的底部电极的面积。

优选地，所述在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面的步骤，包括：

通过增材制造方式在所述第一金属柱的区域设置所述第一顶部延长面；

通过增材制造方式在所述第二金属柱的区域设置所述第二顶部延长面；

通过增材制造方式在所述第三金属柱的区域设置所述第二底部延长面。

优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路的步骤，包括：