[发明专利]功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，包括：

输入匹配电路，所述输入匹配电路的输入端用于接收输入信号，并且其输出端通过隔直电容器连接到功率放大管的输入端；

偏置电路，所述偏置电路连接在功率放大管的输入端和供电电源之间，用于给功率放大管提供偏置电压；

功率放大电路，所述功率放大电路被配置为从输入端接收输入信号，其输出端通过电感器连接到供电电源以及输出匹配电路以输出放大的信号，并且所述功率放大电路还包括接地端，以连接到接地节点；

输入匹配电路，所述输入匹配电路被配置为其输入端连接到所述功率放大管的输出端以及电压保护电路，并且其输出端用于输出输出信号；以及

电压保护电路，所述电压保护电路被配置为连接在所述输入匹配电路的输入端和接地节点之间，并且包括第一电容器、第一晶体管以及第一电阻器和第二电阻器，所述第一电容器连接到所述第一晶体管的栅极或者基极以控制所述第一晶体管的导通和关断。

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一电容器与第一电阻器串联连接在供电电源和接地节点之间；第一晶体管的发射级或者源极与供电电源连接；第一晶体管的基极或栅极连接在第一电容器和第一电阻器的中间节点处，并且第一晶体管的集电极或者漏极连接到第二电阻器；以及第二电阻器连接在第一晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间。

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一晶体管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管。

4.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述电压保护电路还包括第二晶体管和二极管，

其中，所述第一电容器与第一电阻器串联连接在供电电源和接地节点之间；第一晶体管和第二晶体管的发射级或者源极与供电电源连接；第一晶体管的基极或者栅极连接在第一电容器和第一电阻器的中间节点处，并且第一晶体管的集电极或者漏极连接到第二晶体管的基极或者栅极；第二晶体管的集电极或者漏极连接到第二电阻器；二极管连接在第一晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间；以及第二电阻器连接在第二晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间。

5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，所述第二晶体管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管。

6.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述功率放大电路包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管形成的功率放大电路。

7.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述功率放大电路包括单端功率放大电路或者差分功率放大电路。

8.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述功率放大电路包括线性功率放大电路或者非线性功率放大电路。

9.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述功率放大器被配置用于N77频段或者N79频段。