[发明专利]功率放大器

说明书

一种功率放大器，包括：输入匹配电路，所述输入匹配电路的输入端用于接收输入信号，并且其输出端通过隔直电容器连接到功率放大管的输入端；偏置电路，所述偏置电路连接在功率放大管的输入端和供电电源之间，用于给功率放大管提供偏置电压；功率放大电路，所述功率放大电路被配置为从输入端接收输入信号，其输出端通过电感器连接到供电电源以及输出匹配电路以输出放大的信号，并且所述功率放大电路还包括接地端，以连接到接地节点；输入匹配电路，所述输入匹配电路被配置为其输入端连接到所述功率放大管的输出端以及电压保护电路，并且其输出端用于输出输出信号；以及电压保护电路，所述电压保护电路被配置为连接在所述输入匹配电路的输入端和接地节点之间，并且包括电容器、第一晶体管，以及第一电阻器和第二电阻器。

技术领域

本发明涉及功率放大器，并且具体地，涉及基于用于功率放大器的无漏电的电压保护电路。

背景技术

功率放大器是实现射频信号无线传输的重要部件，随着移动通信网络的升级，通信设备需要能在不同的移动通信网络标准中选择不同频段进行射频信号传输，这就要求适用于各通信网络的射频功率放大器需要提供更高的输出功率及更优的线性。

更高的输出功率意味着更高的电压和更大的电压摆幅，这将给芯片的可靠性带来更大的挑战。在现有技术中，通常采用多个二极管正向串联的方式来提供电压限制，以达到电压保护的效果。以常规N77功率放大器为例，采用了8个正向二极管限制电压摆幅。

发明内容

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，包括：输入匹配电路，所述输入匹配电路的输入端用于接收输入信号，并且其输出端通过隔直电容器连接到功率放大管的输入端；偏置电路，所述偏置电路连接在功率放大管的输入端和供电电源之间，用于给功率放大管提供偏置电压；功率放大电路，所述功率放大电路被配置为从输入端接收输入信号，其输出端通过电感器连接到供电电源以及输出匹配电路以输出放大的信号，并且所述功率放大电路还包括接地端，以连接到接地节点；输入匹配电路，所述输入匹配电路被配置为其输入端连接到所述功率放大管的输出端以及电压保护电路，并且其输出端用于输出输出信号；以及电压保护电路，所述电压保护电路被配置为连接在所述输入匹配电路的输入端和接地节点之间，并且包括第一电容器、第一晶体管以及第一电阻器和第二电阻器，所述第一电容器连接到所述第一晶体管的栅极或者基极以控制所述第一晶体管的导通和关断。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述第一电容器与第一电阻器串联连接在供电电源和接地节点之间；第一晶体管的发射级或者源极与供电电源连接；第一晶体管的基极或栅极连接在第一电容器和第一电阻器的中间节点处，并且第一晶体管的集电极或者漏极连接到第二电阻器；以及第二电阻器连接在第一晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述电压保护电路还包括第二晶体管和二极管，所述第一电容器与第一电阻器串联连接在供电电源和接地节点之间；第一晶体管和第二晶体管的发射级或者源极与供电电源连接；第一晶体管的基极或者栅极连接在第一电容器和第一电阻器的中间节点处，并且第一晶体管的集电极或者漏极连接到第二晶体管的基极或者栅极；第二晶体管的集电极或者漏极连接到第二电阻器；二极管连接在第一晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间；以及第二电阻器连接在第二晶体管的集电极或者漏极和接地节点之间。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述第二晶体管包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大电路包括HBT、CMOS、PHEMT或者SiGe晶体管形成的功率放大电路。

本发明的一方面提出了一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大电路包括单端功率放大电路或者差分功率放大电路。