[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，具有有源区；

导电着落焊盘，在所述衬底上方的第一竖直高度处，并连接到所述有源区；

电容器，包括在所述衬底上方的第二竖直高度处的下电极，所述第二竖直高度比所述第一竖直高度高；以及

导电多功能插塞，包括：

延伸着落焊盘部，在第三竖直高度处并接触所述导电着落焊盘，所述第三竖直高度在所述第一竖直高度和所述第二竖直高度之间；以及

延伸下电极部，与所述延伸着落焊盘部一体连接，并接触所述下电极，

其中，所述电容器还包括介电层，所述介电层覆盖所述下电极的表面和所述导电多功能插塞的所述延伸下电极部。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

接触插塞，接触所述有源区，并经由所述导电多功能插塞连接到所述下电极；

位线，在第一水平方向上与所述接触插塞相邻，并在所述衬底上方沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向延伸；

绝缘封盖图案，覆盖所述位线的上表面；以及

引导绝缘图案，在所述绝缘封盖图案上，并接触所述导电多功能插塞的所述延伸着落焊盘部，

其中，所述引导绝缘图案的最上表面比所述导电多功能插塞的最上表面更靠近所述衬底，并且

其中，所述引导绝缘图案的所述最上表面与所述延伸着落焊盘部的上表面共面。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

位线，在所述衬底上方；

绝缘封盖图案，覆盖所述位线的上表面；以及

绝缘间隔物，覆盖所述位线和所述绝缘封盖图案中的每一个的相对侧壁，

其中，所述导电多功能插塞接触所述绝缘封盖图案和所述绝缘间隔物中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

上电极，面向所述下电极和所述延伸下电极部中的每一个，所述介电层在所述下电极和所述延伸下电极部之间；以及

接口，在所述延伸下电极部和所述下电极之间，

其中，所述延伸下电极部和所述下电极之间的所述接口的竖直高度比所述上电极的最下表面的竖直高度高。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述导电多功能插塞和所述下电极包括相同的金属。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述导电多功能插塞和所述下电极包括不同的金属。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述导电着落焊盘和所述导电多功能插塞包括相同的金属。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述导电着落焊盘和所述导电多功能插塞包括不同的金属。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述延伸下电极部在竖直方向上的长度比所述延伸着落焊盘部在所述竖直方向上的长度长。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，

其中，所述导电着落焊盘具有沿第一竖直直线延伸的第一柱形，所述第一竖直直线沿竖直方向延伸，

其中，所述导电多功能插塞具有沿第二竖直直线延伸的第二柱形，所述第二竖直直线沿所述竖直方向延伸，并且

其中，所述第一竖直直线与所述第二竖直直线在水平方向上间隔开。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

支撑图案，接触所述下电极以支撑所述下电极，

其中，所述导电多功能插塞和所述下电极之间的接口的竖直高度比所述支撑图案的竖直高度更靠近所述衬底。