[发明专利]集成电路器件

说明书

本公开涉及一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区；导电着落焊盘，在衬底上方的第一竖直高度处，并连接到有源区；电容器，包括在衬底上方的第二竖直高度处的下电极，第二竖直高度比第一竖直高度高；以及导电多功能插塞，包括：延伸着落焊盘部，在第三竖直高度处并接触导电着落焊盘，第三竖直高度在第一竖直高度和第二竖直高度之间；以及延伸下电极部，与延伸着落焊盘部一体连接，并接触下电极。电容器还包括介电层，该介电层覆盖下电极的表面和导电多功能插塞的延伸下电极部。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2021年12月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0183128的优先权，该申请的全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种集成电路器件，并且具体地，涉及一种包括电容器的集成电路器件。

背景技术

随着电子技术的发展，半导体器件迅速小型化，并且相应地，构成电子元件的图案已经小型化。因此，期望开发一种集成电路器件，该集成电路器件的结构能够通过确保所需的电容来维持所需的电特性，即使当电容器的尺寸被小型化时也是如此。

发明内容

本发明构思提供了一种集成电路器件，该集成电路器件具有能够根据集成电路器件的小型化通过确保下电极的增加的高度来维持增加的电容和优异的电特性的结构，即使当电容器的尺寸减小时也是如此。

根据本发明构思的一个方面，一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区；导电着落焊盘，在衬底上方的第一竖直高度处，并连接到有源区；电容器，包括在衬底上方的第二竖直高度处的下电极，第二竖直高度比第一竖直高度高；以及导电多功能插塞，包括：延伸着落焊盘部，在第三竖直高度处并接触导电着落焊盘，第三竖直高度在第一竖直高度和第二竖直高度之间；以及延伸下电极部，与延伸着落焊盘部一体连接，并接触下电极。电容器还包括介电层，该介电层覆盖下电极的表面和导电多功能插塞的延伸下电极部。

根据本发明构思的一个方面，一种集成电路器件，包括：多个位线结构，在衬底上方彼此平行；多个接触结构，布置在多个位线结构中的两个相邻位线结构之间的空间中，每个接触结构具有沿第一直线延伸的第一柱形，该第一直线沿竖直方向延伸；多个导电多功能插塞，分别在多个接触结构上，多个导电多功能插塞中的每个导电多功能插塞具有：下表面，接触多个接触结构中的对应接触结构；以及第二柱形，沿第二直线延伸，该第二直线沿竖直方向延伸，并且第二直线与第一直线在水平方向上间隔开；以及多个电容器，包括分别设置在多个导电多功能插塞上的多个下电极。

根据本发明构思的一个方面，一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区；位线，在衬底上方；绝缘结构，覆盖位线的上表面和侧壁；接触结构，包括：接触插塞，在水平方向上与位线相邻，并连接到有源区，绝缘结构设置在位线和接触插塞之间，金属硅化物层，覆盖接触插塞的上表面；以及导电着落焊盘，覆盖金属硅化物层的上表面；引导绝缘图案，具有：下表面，接触绝缘结构和导电着落焊盘，以及上表面，在比导电着落焊盘的上表面更远离衬底的竖直高度处；导电多功能插塞，包括：延伸着落焊盘部，接触绝缘结构、导电着落焊盘和引导绝缘图案，以及延伸下电极部，与延伸着落焊盘部一体连接，并在远离衬底的第一竖直方向上突出超过引导绝缘图案的上表面；以及电容器，包括：下电极，接触导电多功能插塞的上表面并沿直线延伸，该直线沿第一竖直方向延伸；介电层，覆盖下电极的表面和延伸下电极部的侧壁的一部分；以及上电极，面向下电极和延伸下电极部。介电层设置在上电极和下电极之间以及上电极和延伸下电极部之间。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是用于描述根据本发明构思的实施例的集成电路器件的存储器单元阵列区域的示意性平面布局；

图2是用于描述根据本发明构思的实施例的集成电路器件的截面图；