[发明专利]一种功率模块的封装结构在审

专利信息
申请号: 202211560578.3 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN115831889A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 马伟力 申请(专利权)人: 嘉兴斯达微电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/48
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴轶淳
地址: 314000 浙江省嘉兴市南湖区大桥*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 模块 封装 结构
【说明书】:

发明提供一种功率模块的封装结构,涉及电力电子学技术领域,包括:外壳盖设于功率模块主体上;功率模块主体包括:散热基板,散热基板上连接有多个绝缘陶瓷基板,绝缘陶瓷基板为多块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板;多个功率端子,各功率端子连接各第一陶瓷基板;多个信号端子,信号端子为第一信号端子和第二信号端子,第一信号端子连接第一陶瓷基板,第二信号端子连接第二陶瓷基板;外壳上开设有分别对应各功率端子的第一开孔和分别对应各信号端子的第二开孔,各信号端子和各功率端子分别对应从各第一开孔和各第二开孔露出。有益效果是相较于现有的功率模块的封装结构,其具有工艺方便、制作耗时短、性能强等优势,有效提高了模块集成度。

技术领域

本发明涉及电力电子学技术领域,尤其涉及一种功率模块的封装结构。

背景技术

功率模块是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动器件。由于具有高集成度、高可靠性等优势,功率模块赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动和变频家电常用的电力电子器件。功率半导体模块主要应用于电能转换的应用场合,如:变频器、电机驱动、电源、输变电等,功率半导体模块是将功率半导体芯片封装成各种电路基本单元,应用于电力电子系统功率回路,功率半导体芯片包括:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(场效应晶体管)、晶闸管以及功率二极管等。

目前电力电子行业有采用62mm宽度封装结构的功率模块,功率端子需要折弯,信号端子需要通过信号引线连接到绝缘陶瓷基板上,这种封装结构制作工艺复杂、制作耗时长,且模块长时间工作后功率端子折弯处容易断裂,性能差。

发明内容

针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种功率模块的封装结构,包括:

散热基板,所述散热基板上连接有多个绝缘陶瓷基板,所述绝缘陶瓷基板为多块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板;

多个功率端子,各所述功率端子设置在各所述第一陶瓷基板上;

多个信号端子,各所述信号端子包括第一信号端子和第二信号端子,所述第一信号端子设置于所述第一陶瓷基板上,所述第二信号端子设置于所述第二陶瓷基板上;

外壳,所述外壳盖设于所述散热基板上,所述外壳上开设有分别对应各所述功率端子的第一开孔和分别对应各所述信号端子的第二开孔,各所述信号端子和各所述功率端子分别对应从各所述第一开孔和各所述第二开孔露出。

优选的,所述功率端子为“门”字型,所述功率端子的底部两端分别设有横向向外延伸的功率端子引脚,各所述功率端子引脚为“U”型结构。

优选的,所述信号端子的底部设有信号端子引脚,所述信号端子引脚为“工”字型结构。

优选的,所述信号端子引脚与所述信号端子的顶部之间还设有焊接缓冲区,所述焊接缓冲区为“S”型结构。

优选的,所述外壳的各所述第一开孔的周围设有朝远离所述功率模块主体方向凸出的凸台,各相邻凸台之间设有凹槽。

优选的,所述凹槽宽度为4mm-8mm。

优选的,各所述信号端子的露出部分设有安装孔,所述外壳上设有多个与各所述第二开孔和所述安装孔对应的安装螺母;

各所述信号端子的露出部分向所述外壳方向弯折后,通过对应的各所述安装螺母固定于所述安装孔所在位置。

优选的,还包括螺母滑块,所述外壳远离所述第二开孔的侧面开设有矩形槽,所述矩形槽与所述凸台连通,各所述功率端子的顶部开设有安装孔,所述螺母滑块上设有分别与各所述功率端子的安装孔对应的螺母安装孔;

所述螺母滑块通过所述矩形槽插入所述外壳内部,并通过螺栓穿过所述功率端子的安装孔与各所述螺母安装孔内的螺母对应连接。

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