[发明专利]一种MoS2

权利要求书

1.一种MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，其特征在于，包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体多孔结构中的由MoS₂纳米片组成的花瓣状MoS₂。

2.根据权利要求1所述的MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，其特征在于，所述花瓣状MoS₂质量为多孔氮化硅基体的2～20wt％。

3.根据权利要求1或2所述的MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，其特征在于，所述MoS₂纳米片的直径为30～200nm，厚度为30～100nm；

所述花瓣状MoS₂的尺寸为150～300nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，其特征在于，所述多孔氮化硅基体含有棒状氮化硅晶粒，其孔隙率为45～70％，孔结构尺寸为5～50μm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，其特征在于，所述MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷在8.2～12.4GHz之间的有效吸波频带为1.5～4.2GHz。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：将多孔氮化硅基体真空浸渍在含有钼酸钠Na₂MoO₄·2H₂O和硫代乙酰胺CH₃CSNH₂的混合溶液中，然后在160～220℃下水热反应8～36小时，得到所述MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述含有钼酸钠Na₂MoO₄·2H₂O和硫代乙酰胺CH₃CSNH₂的混合溶液的溶剂为去离子水；

所述去离子水在混合溶液中的质量分数为82～96％；

所述Na₂MoO₄·2H₂O和硫代乙酰胺CH₃CSNH₂的的质量比1：(0.5～2)；

所述真空浸渍的时间为10～50分钟。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述多孔氮化硅基体的制备方法包括：

(1)将Si₃N₄粉体、烧结助剂、造孔剂和溶剂进行混合，再经烘干和过筛，得到混合粉体；

(2)将混合粉体采用单轴干压成型方式制备陶瓷生坯，再经脱粘和气压烧结，得到所述多孔氮化硅基体。