[发明专利]一种MoS2

说明书

本发明设计一种MoSsubgt;2/subgt;/Sisubgt;3/subgt;Nsubgt;4/subgt;复合吸波陶瓷及其制备方法。所述MoSsubgt;2/subgt;/Sisubgt;3/subgt;Nsubgt;4/subgt;复合吸波陶瓷包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体多孔结构中的由MoSsubgt;2/subgt;纳米片组成的花瓣状MoSsubgt;2/subgt;。

技术领域

本发明涉及一种MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷及其制备方法，属于雷达波吸波材料领域。

背景技术

随着5G通讯的快速发展，如手机、电脑和手环等便携式智能设备的广泛使用，给人们的生活带来巨大的便利。然而，随之而来的电磁辐射不仅对人们的身体健康造成威胁，还可能会干扰精密仪器的正常运转，造成信息泄露。为解决当下电磁污染问题，开发高性能的吸波材料逐渐成为研究热点。

MoS₂作为一种类似石墨的层状结构材料，具有比表面积大、片层薄等性质，被广泛的用作电磁波吸收材料。MoS₂可以设计成具有特征表面和界面性质的几何结构，使材料有更多的缺陷和足够的空隙，能提供更多的散射、反射，有助于调节材料的电性能和提高入射电磁波的消耗。Si₃N₄陶瓷具有耐高温、抗氧化、高强度和介电常数低等特点，往往作为透波基体与介电性能优异的吸波材料复合用于吸收电磁波，不仅能够满足材料的阻抗匹配设计原则还具有承载力学的优点。

目前，MoS₂往往作为吸波填料与石蜡等基体混合用于吸收电磁波，而难以与陶瓷类基体复合用于承载力学，这是由于陶瓷类材料往往烧结温度高(1700℃)，而MoS₂熔点低(1200℃)且高温易分解(1400℃)，这不仅会破坏MoS₂的特殊形貌还会导致材料吸波性能恶化，难以与力学性能优异陶瓷复合来制备吸波-承载一体化的陶瓷。因此，开发一种有效的方法将MoS₂复合到力学性能优异的Si₃N₄陶瓷中成为本领域研究的新兴热点问题。

对目前MoS₂和Si₃N₄陶瓷材料复合困难的问题，本发明提供了一种通过将多孔Si₃N₄陶瓷浸渍在钼酸钠(Na₂MoO₄·2H₂O)和硫代乙酰胺(CH₃CSNH₂)的混合溶液中并进行水热反应的方法制备了MoS₂/Si₃N₄复合陶瓷。该方法工艺简单，成本低廉，具有吸波承载一体化的功能。

发明内容

对目前MoS₂和Si₃N₄陶瓷材料复合困难的问题，本发明提供了一种通过将多孔Si₃N₄陶瓷浸渍在钼酸钠(Na₂MoO₄·2H₂O)和硫代乙酰胺(CH₃CSNH₂)的混合溶液中并进行水热反应的方法制备了MoS₂/Si₃N₄复合陶瓷。该方法工艺简单，成本低廉，具有吸波承载一体化的功能。

一方面，本发明提供了一种MoS₂/Si₃N₄复合吸波陶瓷，包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体多孔结构中的由MoS₂纳米片组成的花瓣状MoS₂。

较佳的，所述花瓣状MoS₂质量为多孔氮化硅基体的2～20wt％。