[发明专利]减薄晶圆在匀胶过程中的加固处理方法

说明书

本发明公开了减薄晶圆在匀胶过程中的加固处理方法，步骤1，将晶圆通过减薄制备成薄片晶圆；步骤2，将制备的薄片晶圆需要匀胶的面正对真空吸板放置，吸上真空后，将蓝膜均匀的贴在薄片晶圆背面，关闭真空，取下带有蓝膜的晶圆；步骤3，将得到的带有蓝膜的晶圆放置在匀胶机真空载台上，开启真空，将带有蓝膜的晶圆固定；步骤4，设定recipe进行匀胶工艺；步骤5，匀胶后关闭真空，将带有蓝膜的晶圆放置在热板上烘烤；步骤6，烘烤完成后将带有蓝膜的晶圆匀胶面正对真空板放置，抽真空，将晶圆固定后，去除圆晶背面的蓝膜后，取下晶圆，完成匀胶工艺；解决了现有晶圆减薄至50μm～200μm厚度时在匀胶过程中容易破碎的问题。

技术领域

本发明属于半导体光刻技术领域，涉及减薄晶圆在匀胶过程中的加固处理方法。

背景技术

在化合物半导体芯片制作工艺技术中，通过光刻在晶圆表面复制出各种电路图，是当今半导体领域最为关键和不可或缺的一种手段，其中主要步骤是通过在晶圆表面进行匀胶、光刻、显影的方式来制作形成。在晶圆表面匀胶是通过将晶圆直接通过真空的方式固定在高速旋转的载台上涂布光刻胶实现的，通常常规厚度的晶圆是可以利用此种手段直接制取膜层，但是上述的常规方法存在一定的局限性，目前市场上很多芯片在设计制作工艺过程中是需要通过减薄后再来完成双面图形的制备，上述常规的方式无法实现减薄后的晶圆匀胶工艺，且常常会导致晶圆碎裂，从而极大的降低了产品的良率，有时甚至无法进行工艺，成为一种技术壁垒。本发明提出了一种新的加固处理方法，来完成薄片匀胶的工艺。一般化合物晶圆减薄低于200μm时，是非常容易破裂，因为其存在一个或多个晶向，在晶向方向上特别容易受外力影响碎裂。此方法是通过借助蓝膜将晶圆固定分散晶圆受到的力，再借助真空吸板作为支撑实现匀胶工艺。

发明内容

本发明的目的是提供减薄晶圆在匀胶过程中的加固处理方法，解决了现有晶圆减薄至50μm～200μm厚度时在匀胶过程中容易破碎的问题。

本发明所采用的技术方案是，减薄晶圆在匀胶过程中的加固处理方法，具体按以下步骤实施：

步骤1，将晶圆通过减薄制备成薄片晶圆；

步骤2，将经步骤1制备的薄片晶圆需要匀胶的面正对真空吸板放置，吸上真空后，将蓝膜均匀的贴在薄片晶圆背面，关闭真空，取下带有蓝膜的晶圆；

步骤3，将经步骤2得到的带有蓝膜的晶圆放置在匀胶机真空载台上，开启真空，将带有蓝膜的晶圆固定；

步骤4，设定recipe进行匀胶工艺；

步骤5，匀胶后关闭真空，将带有蓝膜的晶圆放置在热板上烘烤；

步骤6，烘烤完成后将带有蓝膜的晶圆匀胶面正对真空板放置，抽真空，将晶圆固定后，去除圆晶背面的蓝膜后，取下晶圆，完成匀胶工艺。

本发明的特点还在于：

其中步骤1中晶圆的尺寸不大于Φ4，薄片晶圆的厚度不低于50μm；

其中步骤2中真空吸板的真空度为-55kpa～-70kpa；

其中步骤3中放置真空载台前将晶圆上的蓝膜剪裁为大于晶圆直径2cm的形状，开启的真空在-55kpa～-70kpa内；

其中步骤4中设定recipe转速由低到高，再由高到低，转速最高不超过6000rpm；

其中步骤5烘烤过程中温度为80℃～100℃，烘烤时间30s～90s。

本发明的有益效果是