[发明专利]热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法

权利要求书

1.一种热电子晶体管，其特征在于，包括发射极、基极及集电极，在所述发射极与所述基极之间设置有隧穿势垒层，在所述基极与所述集电极之间设置有无机半导体层。

2.根据权利要求1所述的热电子晶体管，其特征在于，所述发射极厚度范围在20nm-30nm之间；所述隧穿势垒层的厚度范围在1.5nm-2.5nm之间；所述基极的厚度范围在10nm-15nm之间；所述无机半导体层的厚度为50nm-100nm；所述集电极的厚度范围在50nm-100nm之间。

3.根据权利要求1所述的热电子晶体管，其特征在于，所述发射极为金属铝；所述隧穿势垒层为氧化铝层；所述基极为金属金；所述无机半导体层为铟镓锌氧化合物半导体层；所述集电极为钛金合金或铝。

4.权利要求1-3任一项所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在发射极与基极之间形成隧穿势垒层；在基极与集电极之间形成无机半导体层。

5.根据权利要求4所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，所述无机半导体层采用磁控溅射方式在不同氧分压下形成；所述磁控溅射方式中溅射腔体内的氧气流速控制在1.5sccm-6sccm之间。

6.根据权利要求4所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，所述发射极采用快速金属热蒸发方式蒸镀形成。

7.根据权利要求4所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，所述隧穿势垒层采用原子层沉积的方法形成；所述基极采用电子束蒸发的方式蒸镀形成；所述集电极层采用电子束蒸发方式形成。

8.根据权利要求4所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，采用紫外光刻对所述发射极、所述基极、所述隧穿势垒层、所述集电极和所述无机半导体层中至少一个进行图案化处理。

9.根据权利要求8所述的热电子晶体管的制备方法，其特征在于，采用紫外光刻进行图案化处理过程中，控制显影时间在8s-10s。

10.一种肖特基势垒高度提取方法，其特征在于，利用权利要求1-3任一项所述的热电子晶体管获得热电子能谱；利用所述热电子能谱得到所述基极与所述无机半导体层的肖特基势垒高度。