[发明专利]一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备在审
申请号: | 202211575108.4 | 申请日: | 2022-12-08 |
公开(公告)号: | CN115870875A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 严涛 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/16;B24B37/34;B24B7/22 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 姚勇政;宋东阳 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 研磨 硅片 设备 | ||
本发明实施例公开了一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备,所述研磨盘包括:平板状的基部;多个研磨块,每个研磨块以能够沿着与所述基部垂直的第一方向进行移动的方式设置在所述基部上;与所述多个研磨块相应的多个驱动器,每个驱动器用于驱动对应的研磨块进行所述移动,其中,所述多个驱动器根据所述硅片的待研磨表面的形貌将所述多个研磨块驱动成使得,在所述研磨盘相对于所述硅片在与所述第一方向垂直的平面中移动以通过所述多个研磨块对所述硅片的待研磨表面进行研磨的过程中的任一时刻,与所述待研磨表面的凸出部分对应的研磨块比与所述待研磨表面的凹入部分对应的研磨块更靠近于所述硅片。
技术领域
本发明涉及半导体硅片生产领域,尤其涉及一种用于研磨硅片的研磨盘及5研磨设备。
背景技术
半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。其中,研磨工艺主要通过去除材料来使硅片的厚度、外形尺寸、表面平坦度等方面满足要求。
0上述的研磨工艺通常通过研磨设备来实现。具体地,研磨设备包括研磨盘,
当研磨盘在研磨设备的加压机构的作用下被压靠至硅片并且在驱动机构的作用下相对于硅片产生移动时,便可以去除硅片表面的材料或者说产生研磨作用。
然而,现有的研磨盘的研磨面呈平面状,在利用这样的研磨盘对硅片进行研磨以改变硅片表面的平坦度时,会产生这样的问题:由于加压机构的压力导5致的硅片的轻微变形、研磨盘的轻微变形,或者由于供应在研磨盘与硅片之间的研磨液的作用,硅片不平坦表面中不仅凸出部分会受到研磨,而且凹入部分也会受到研磨,也就是说,对于硅片的凹入部分而言,尽管可能被去除了较少的材料,但去除材料仍然会发生,很明显地这是不需要的,或者说由于硅片的
整个表面的材料都被去除,对于改善硅片表面平坦度而言是不利的或者说改善0效率是低下的。而在研磨过程中所期望的是仅去除凸出部分的材料,或者说,
即使凹入部分的材料被去除其程度也能得到最小化以提高改善表面平坦度的效率,但是这对于现有的研磨盘而言是无法实现的。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备,能够实现仅仅针对硅片的凸出部分进行研磨,或者说能够避免或至少减少对硅片的凹入部分的研磨,从而提高改善平坦度的效率。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种用于研磨硅片的研磨盘,所述研磨盘包括:
平板状的基部;
多个研磨块,每个研磨块以能够沿着与所述基部垂直的第一方向进行移动的方式设置在所述基部上;
与所述多个研磨块相应的多个驱动器,每个驱动器用于驱动对应的研磨块进行所述移动,其中,所述多个驱动器根据所述硅片的待研磨表面的形貌将所述多个研磨块驱动成使得,在所述研磨盘相对于所述硅片在与所述第一方向垂直的平面中移动以通过所述多个研磨块对所述硅片的待研磨表面进行研磨的过程中的任一时刻,与所述待研磨表面的凸出部分对应的研磨块比与所述待研磨表面的凹入部分对应的研磨块更靠近于所述硅片。
第二方面,本发明实施例提供了一种用于研磨硅片的研磨设备,所述研磨设备包括根据第一方面所述的研磨盘。
本发明实施例提供了一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备,对于待研磨表面的凹入部分而言,所对应于的研磨块处于更为远离的位置处,这样,以供应在研磨盘与硅片之间的研磨液所产生的作用为例,研磨液中处于凹入部分与对应的研磨块之间较大空间中的磨粒会受到较小的压挤作用,从而对硅片产生较小的磨削作用或者说去除较少的硅片的材料,类似地可以理解的是,在加压机构的压力导致的硅片的轻微变形、研磨盘的轻微变形的情形下同样如此,由此实现了能够至少减少对硅片的凹入部分的研磨,从而提高了改善平坦度的效率。
附图说明
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