[发明专利]一种光刻胶显影方法

权利要求书

1.一种光刻胶显影方法，其特征在于，包括：

获取待显影晶圆，所述待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；

根据所述光刻胶膜的膜厚，对所述待显影晶圆进行曝光；

根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对所述待显影晶圆进行烘烤处理，所述预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，所述预设烘烤距离随所述烘烤时间先减小后增大；

对所述待显影晶圆执行显影工艺。

2.根据权利要求1所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对所述待显影晶圆进行烘烤处理，包括：

根据第一预设烘烤温度和第一预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第一预设时长；

根据第二预设烘烤温度和第二预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第二预设时长，所述第二预设烘烤温度大于所述第一预设烘烤温度，所述第二预设烘烤距离小于所述第一预设烘烤距离；

根据第三预设烘烤温度和第三预设烘烤距离，烘烤所述待显影晶圆第三预设时长，所述第三预设烘烤温度小于所述第一预设烘烤温度，所述第三预设烘烤距离大于所述第一预设烘烤距离。

3.根据权利要求1所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述对所述待显影晶圆执行显影工艺，包括：

调整所述待显影晶圆所处环境的环境压力至预设压力，所述预设压力大于或等于50Pa且小于或等于100Pa；

根据所述待显影晶圆的晶圆半径，确定所述待显影晶圆的显影喷淋半径，所述显影喷淋半径大于或等于0.2倍的所述晶圆半径且小于或等于0.8倍的所述晶圆半径；

根据所述待显影晶圆的晶圆中心位置和所述显影喷淋半径，确定显影喷淋范围；

根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行初步显影处理；

根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行模进显影处理。

4.根据权利要求3所述的光刻胶显影方法，其特征在于，所述根据所述显影喷淋范围，对所述待显影晶圆进行初步显影处理，包括：

根据第一晶圆转速和第一转动时长，控制所述待显影晶圆转动，所述第一晶圆转速大于或等于180rpm且小于或等于220rpm，所述第一转动时长小于或等于5s；

调整所述待显影晶圆的转速至第二晶圆转速，所述第二晶圆转速大于或等于20rpm且小于或等于150rpm；

根据第一喷淋时长，控制喷淋机械臂向所述晶圆中心位置喷淋显影液，所述第一喷淋时长大于或等于3s且小于或等于15s；

控制所述喷淋机械臂由所述晶圆中心位置移动至喷淋边界位置，以对所述待显影晶圆进行所述显影液的初步扫描喷淋，所述喷淋边界位置至所述晶圆中心位置的距离等于所述显影喷淋半径；

在所述喷淋机械臂移动至所述喷淋边界位置的情况下，根据第二喷淋时长控制所述喷淋机械臂向所述喷淋边界位置喷淋所述显影液，所述第二喷淋时长大于或等于2s且小于或等于5s；

根据静置时长，控制所述待显影晶圆静置，所述静置时长大于或等于2s且小于或等于10s；

根据第三晶圆转速和第二转动时长，控制所述待显影晶圆转动，所述第三晶圆转速大于或等于300rpm且小于或等于800rpm，所述第二转动时长大于或等于10s且小于或等于30s。