[发明专利]一种光刻胶显影方法

说明书

本发明提供了一种光刻胶显影方法，涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶显影方法。该方法包括，获取待显影晶圆，待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据光刻胶膜的膜厚，对待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对待显影晶圆进行烘烤处理，预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，预设烘烤距离随所述烘烤时间先减小后增大；对待显影晶圆执行显影工艺。该方法能够在曝光后显影过程中，改善待显影晶圆的受热方式，提升对光刻胶膜的烘烤效果，降低光刻胶膜出现缺陷的可能性，有利于避免非曝光区域的流膜率过大，并防止光刻胶膜发生大幅形变，降低图像失真的可能性，为显影图像的分辨率提供可靠保障。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶显影方法。

背景技术

光刻技术广泛应用于半导体行业，通过光刻工艺，得以让光罩上的图案转移到晶圆表面，进而实现晶圆表面的图形化，该工艺中，包括涂胶，烘烤，曝光，显影等制程，诸多制程中又以显影工艺尤为重要。基于当前的厚胶显影技术，产品多出现显影光刻胶残留、光刻胶变形等缺陷，严重影响了显影图像的分辨率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明提供了一种光刻胶显影方法，该方法包括：

获取待显影晶圆，上述待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；

根据上述光刻胶膜的膜厚，对上述待显影晶圆进行曝光；

根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对上述待显影晶圆进行烘烤处理，上述预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，上述预设烘烤距离随上述烘烤时间先减小后增大；

对上述待显影晶圆执行显影工艺。

在一种可行的实施方式中，根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对上述待显影晶圆进行烘烤处理，包括：

根据第一预设烘烤温度和第一预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第一预设时长；

根据第二预设烘烤温度和第二预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第二预设时长，上述第二预设烘烤温度大于上述第一预设烘烤温度，上述第二预设烘烤距离小于上述第一预设烘烤距离；

根据第三预设烘烤温度和第三预设烘烤距离，烘烤上述待显影晶圆第三预设时长，上述第三预设烘烤温度小于上述第一预设烘烤温度，上述第三预设烘烤距离大于上述第一预设烘烤距离。

在一种可行的实施方式中，对上述待显影晶圆执行显影工艺，包括：

调整上述待显影晶圆所处环境的环境压力至预设压力，上述预设压力大于或等于50Pa且小于或等于100Pa；

根据上述待显影晶圆的晶圆半径，确定上述待显影晶圆的显影喷淋半径，上述显影喷淋半径大于或等于0.2倍的上述晶圆半径且小于或等于0.8倍的上述晶圆半径；

根据上述待显影晶圆的晶圆中心位置和上述显影喷淋半径，确定显影喷淋范围；

根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行初步显影处理；

根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行模进显影处理。

在一种可行的实施方式中，根据上述显影喷淋范围，对上述待显影晶圆进行初步显影处理，包括：

根据第一晶圆转速和第一转动时长，控制上述待显影晶圆转动，上述第一晶圆转速大于或等于180rpm且小于或等于220rpm，上述第一转动时长小于或等于5s；

调整上述待显影晶圆的转速至第二晶圆转速，上述第二晶圆转速大于或等于20rpm且小于或等于150rpm；