[发明专利]边缘环位置偏差标定调整方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种边缘环位置偏差标定调整方法，包括：设定边缘环在反应腔室的环形槽内的测试状态；根据所述测试状态放置参考坐标至所述反应腔室内，且所述参考坐标与所述环形槽保持一定距离；垂直于所述参考坐标生成与所述环形槽内轮廓线相切的第一标的激光线；垂直于所述参考坐标生成与所述边缘环外轮廓线相切的第二标的激光线；获取所述第一标的激光线与所述参考坐标交汇点数值和所述第二标的激光线与所述参考坐标交汇点数值的绝对差值；基于所述绝对差值对所述边缘环的位置偏差进行标定调整。本申请极大的提高了边缘环圆心位置检测的精准性。

技术领域

本申请涉半导体技术领域，具体涉及一种边缘环位置偏差标定调整方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，半导体芯片在经过离子注入后需要退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷，同时，退火还能激活施主和受主杂质，把处于间隙位置的杂质原子通过退火让其进入替代位置。现有技术中通过高温退火机台执行晶圆热退火工艺并通过检测晶圆Rs值来校验高温退火效果，一般通过卡控Rs的meansigma值来保证机台对晶圆进行高温退火的程度及均匀性，其中Rs的sigma值会由于承载晶圆的边缘环的圆心位置不在chamber(反应腔室)的圆心处而导致其sigma值过高，且即使调节不同区域灯泡的功率也无法使得偏离晶圆的Rs的sigma值回到正常范围。参考图1a和1b，图1a为边缘环的圆心位置在反应腔室圆心处的正常晶圆Rs map，故Rs map是关于圆心对称的，即使其sigma值比较大，依然可以通过调节不同组的加热灯泡的功率来调节sigma值，直至降至工艺卡控的范围，而图1b是边缘环圆心位置偏离的晶圆Rs map，其位置偏差大，即使调节不同组的加热灯泡的功率也无法使得其sigma值降至工艺卡控的范围。

传统的边缘环圆心位置检测是在PM(preventive maintenance)后，保持边缘环转动，通过肉眼观测其边缘部分的位置变化来判断其圆心位置是否在反应腔室圆心，仅凭人的肉眼观察，同一个人的不同次肉眼观察，由于所在角度，光线等环境变化，观察结果均会有误差，即人眼观察的精确程度很低，误差太大，这种情况需要改变。

发明内容

本申请提供一种边缘环位置偏差标定调整方法，以提高边缘环圆心位置检测的准确度，进而保持晶圆高温退火的Rs值分布稳定。

为实现以上发明目的，根据第一方面，采用的技术方案为：

一种边缘环位置偏差标定调整方法，包括：设定边缘环在反应腔室的环形槽内的测试状态；根据所述测试状态放置参考坐标至所述反应腔室内，且所述参考坐标与所述环形槽保持一定距离；垂直于所述参考坐标生成与所述环形槽内轮廓线相切的第一标的激光线；垂直于所述参考坐标生成与所述边缘环外轮廓线相切的第二标的激光线；获取所述第一标的激光线与所述参考坐标交汇点数值和所述第二标的激光线与所述参考坐标交汇点数值的绝对差值；基于所述绝对差值对所述边缘环的位置偏差进行标定调整。

本申请进一步设置为：所述基于所述绝对差值对所述边缘环的位置偏差进行标定调整，具体包括：判断所述绝对差值是否在预设的规格数值内，其中所述规格数值为17-20mm；若所述绝对差值在所述规格数值内，则确定所述边缘环位置偏差正常；若所述绝对差值不在所述规格数值内，则重新设定所述边缘环在反应腔室的环形槽内的测试状态。

本申请进一步设置为：所述设定边缘环在反应腔室的环形槽内的测试状态，具体包括：设定所述边缘环在所述反应腔室的环形槽内的测试位置；基于所述测试位置设定所述边缘环在所述反应腔室的环形槽内的测试速度。

本申请进一步设置为：所述测试速度为240r/min。

本申请进一步设置为：所述设定所述边缘环在反应腔室的环形槽内的测试位置，具体包括：选取PM后的边缘环置于所述环形槽内；基于所述边缘环的外轮廓线标记与所述外轮廓线相切的横/纵标记坐标，作为调整所述测试位置的坐标参考。

为实现以上发明目的，根据第二方面，采用的技术方案为：