[发明专利]一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法有效
申请号: | 202211597471.6 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN115841969B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 孙浩然;褚君浩;李华;王伟明 | 申请(专利权)人: | 江苏宜兴德融科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 214200 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 激光 钝化 设备 方法 | ||
1.一种半导体器件激光钝化设备,包括:
载物台,用于承载半导体器件;
第一定位组件,用于确定半导体器件上的异常部位的位置;
激光发射系统,用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理;
控制装置,用于控制半导体器件移动到目标位置,所述目标位置为激光光束的中心对准异常部位的位置;
其中,所述的激光钝化设备还包括第二定位组件,用于确定投射在半导体器件上的激光光束的位置并检验激光光束的中心是否对准半导体器件上的异常部位;
第一定位组件和第二定位组件为图像记录装置,所述激光钝化设备还包括图像分析装置,用于分析第一定位组件和第二定位组件传送的图像以确定半导体器件上的异常部位的坐标和投射在半导体器件上的激光光束的坐标,所述控制装置根据所述图像分析装置确定的坐标信息控制半导体器件移动到目标位置;
其中,所述图像分析装置还用于分析异常部位的形状,所述激光发射系统适于发射对应形状的光束,以对异常部位进行精确钝化;针对面积较大的异常区域,采用多次小面积钝化的方式,逐步覆盖全部异常区域;根据异常形貌,同时调整钝化深度和钝化图案,采用多图层、小景深的方式钝化不同异常形貌的半导体器件。
2.根据权利要求1所述的激光钝化设备,其中,所述激光发射系统包括整形模组,所述整形模组适于控制激光光斑的大小以及形状。
3.根据权利要求1所述的激光钝化设备,还包括移动组件,用于移动半导体器件以使激光光束对准半导体器件上的异常部位。
4.一种半导体器件激光钝化方法,包括:
将半导体器件放置于载物台上;
利用第一定位组件确定半导体器件上的异常部位的位置;
根据第一定位组件确定的半导体器件上的异常部位的位置控制半导体器件移动到目标位置,所述目标位置为激光光束的中心对准异常部位的位置;以及
利用激光发射系统发射激光以对异常部位进行钝化处理;
其中,所述的激光钝化方法还包括:利用第二定位组件确定投射在半导体器件上的激光光束的位置并检验激光光束的中心是否对准半导体器件上的异常部位;
其中,第一定位组件和第二定位组件为图像记录装置并将所记录的图像传送到图像分析装置,
所述方法还包括利用所述图像分析装置分析第一定位组件和第二定位组件传送的图像以确定半导体器件上的异常部位的坐标和投射在半导体器件上的激光光束的坐标,以根据图像分析装置确定的半导体器件上的异常部位的坐标和投射在半导体器件上的激光光束的坐标的信息控制半导体器件移动到目标位置;
所述的激光钝化方法,还包括:利用所述图像分析装置分析异常部位的形状,并利用所述激光发射系统发射对应形状的光束,以对异常部位进行精确钝化;针对面积较大的异常区域,采用多次小面积钝化的方式,逐步覆盖全部异常区域;根据异常形貌,同时调整钝化深度和钝化图案,采用多图层、小景深的方式钝化不同异常形貌的半导体器件。
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