[发明专利]一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。所述半导体器件激光钝化设备包括：载物台，用于承载半导体器件；第一定位组件，用于确定半导体器件上的异常部位的位置；激光发射系统，用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理；以及控制装置，用于控制半导体器件移动到载物台上的相对于激光束照射的目标位置。利用本申请的半导体器件激光钝化设备和钝化方法可实现对半导体器件上的异常部位的精准钝化。

技术领域

本申请属于半导体器件加工技术领域,具体涉及一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。

背景技术

常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓、锑化铟等，被广泛地运用于光电探测器、半导体LED微芯片、太阳电池等半导体器件中，半导体器件易与空气接触形成不稳定的氧化层，进一步溶解腐蚀或者降解形成更多复合中心，复合中心捕获载流子并使其复合，使得半导体器件性能降低。另外，半导体器件在晶体生长、工艺制备和组件封装的过程中不可避免引入杂质，降低半导体器件性能，例如使太阳能电池器件的光电转换效率降低。因此需要通过专门的方法修饰表面，提高器件性能。

目前针对上述问题，专利TW201034226A公开了一种太阳电池钝化方法，通过注射器施加一透明绝缘物的方式进行钝化，使得电池效能提高。专利CN105633201B公开了钝化铜铟镓硒薄膜表面的电化学处理方法，其采用处理溶液利用电化学的方法进行钝化处理，其中处理溶液为乙基紫精二高氯酸盐、六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液，能够有效降低界面处光生载流子对的复合率。现有技术中还采用切割工艺、对局部进行隔离的方式解决上述问题。

上述方式对于微小的半导体器件而言，操作难度大，且化学方式进行钝化处理会对正常部位造成影响，机械隔离操作易引入裂纹等。

发明内容

针对于现有技术的以上问题和改进需求，本申请提供了一种新型的半导体器件异常部位钝化的处理方法以及设备，以实现对半导体器件上的异常部位精准钝化的目的。

一方面，本申请提供一种半导体器件激光钝化设备，包括：

载物台，用于承载半导体器件；

第一定位组件，用于确定半导体器件上的异常部位的位置；

激光发射系统，用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理；以及

控制装置，用于控制半导体器件移动到目标位置，所述目标位置为激光光束的中心对准异常部位的位置。

根据本发明的一些实施例，所述的激光钝化设备还包括第二定位组件，用于确定投射在半导体器件上的激光光束的位置并检验激光光束的中心是否对准半导体器件上的异常部位。

根据本发明的一些实施例，第一定位组件和第二定位组件为图像记录装置，所述激光钝化设备还包括图像分析装置，用于分析第一定位组件和第二定位组件传送的图像以确定半导体器件上的异常部位的坐标和投射在半导体器件上的激光光束的坐标；其中，所述控制装置根据所述图像分析装置确定的坐标信息控制半导体器件移动到所述目标位置。

根据本发明的一些实施例，所述图像分析装置还用于分析异常部位的形状，所述激光发射系统适于发射对应形状的光束，以对异常部位进行精确钝化。

根据本发明的一些实施例，所述激光发射系统包括整形模组，所述整形模组适于控制激光光斑的大小以及形状。

根据本发明的一些实施例，所述的激光钝化设备还包括移动组件，用于移动半导体器件以使激光光束对准半导体器件上的异常部位。

本申请的另一方面提供一种半导体器件激光钝化方法，包括：

将半导体器件放置于载物台上；

利用第一定位组件确定半导体器件上的异常部位的位置；