[发明专利]光刻胶剥离液在审
申请号: | 202211601957.2 | 申请日: | 2022-12-13 |
公开(公告)号: | CN115981119A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 李恩庆 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 剥离 | ||
本发明实施例提供一种光刻胶剥离液,该光刻胶剥离液包括膨胀剂、渗透剂、溶解剂、pH抑制剂以及腐蚀抑制剂,且膨胀剂的质量百分比含量为30%‑60%,溶解剂的质量百分比含量为40%‑60%,渗透剂的质量百分比含量为0.5%‑8%,pH抑制剂的质量百分比含量为0.01%‑2%,腐蚀抑制剂的质量百分比含量为0.001%‑2%。光刻胶剥离液在剥离过程中,其剥离效果较好,同时,光刻胶剥离液还可多次再生重复利用,从而有效的提高了光刻胶剥离液的再生良率,并降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及显示面板行业电子化学品技术领域,尤其涉及一种光刻胶剥离液。
背景技术
随着显示面板制备技术的不断发展,人们对显示面板及装置的各种性能均提出了更高的要求。
现有技术中,在制备形成显示面板时,需要采用多种不同的工艺以得到不同膜层,如通常需要使用光刻工艺进行光刻处理。现有技术中,光刻胶为光刻工艺中必备的物质,光刻工艺(photo-lithography processing)处理后,需要对多余的光刻胶进行去除,在去除时一般在高温条件下进行,而在这种高温下,随着光刻胶被去除的同时,该光刻胶下层的金属膜会在高温下出现加速腐蚀的问题。进而对下方的金属层造成损坏,降低了显示面板内金属走线的质量及安全性能。现有技术中,常用的光刻胶剥离液为水溶性有机胺,如伽玛-丁内酯、DMSO等有机溶剂。但是上述光刻胶剥离液组成物剥离效果不理想且容易在对光刻胶剥离的同时造成金属走线的腐蚀,循环利用率较低。不利于显示面板综合性能的进一步提高。
综上所述,现有技术中在光刻胶剥离工艺中使用的光刻胶剥离液,还存在着剥离效果不理想,循环利用率低且容易在剥离的同时,对下层的金属层造成严重的腐蚀,降低了显示面板的可靠性。
发明内容
本发明实施例提供一种光刻胶剥离液。以有效的改善现有的光刻剥离工艺中采用的剥离液剥离效果不理想,循环利用率低且容易对金属层造成严重腐蚀的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种光刻胶剥离液,包括:
膨胀剂、渗透剂、溶解剂、pH抑制剂以及腐蚀抑制剂;
其中,所述膨胀剂的质量百分比含量为30%-60%,所述溶解剂的质量百分比含量为40%-60%,所述渗透剂的质量百分比含量为0.5%-8%,所述pH抑制剂的质量百分比含量为0.01%-2%,所述腐蚀抑制剂的质量百分比含量为0.001%-2%。
根据本发明一实施例,所述膨胀剂为非质子极性溶剂。
根据本发明一实施例,所述非质子极性溶剂包括:吡咯烷酮化合物、咪唑啉酮化合物,内酯化合物、硫氧化合物,含磷化合物,碳酸盐化合物、等酰胺化合物中的至少一种。
根据本发明一实施例,所述吡咯烷酮化合物包括:N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮中的至少一种;
所述咪唑啉酮化合物包括:1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二甲基咪唑啉酮中的至少一种;
所述内酯化合物包括:γ-丁内酯;
所述硫氧化合物包括:二甲基亚砜、四氢噻吩-1,1-二氧化物中的至少一种;
所述含磷化合物包括:磷酸三乙酯、磷酸三丁酯中的至少一种,所述碳酸盐化合物包括碳酸二甲酯、碳酸亚乙酯中的至少一种;
所述酰胺化合物包括:甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰基乙酰胺、N-乙酰乙醇胺、N,N-二甲基乙酰胺、3-甲氧基-N、N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)丙胺、N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺中的至少一种。
根据本发明一实施例,所述吡咯烷酮化合物包括:N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮中的至少一种;
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