[发明专利]基于表面微印刷技术的柔性Micro-LED阵列的制备方法

权利要求书

1.一种基于表面微印刷技术的柔性Micro-LED阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供叠设有多个Micro-LED芯片的基板；

S2、使糖、玉米糖浆和水混合加热形成的柔性焦糖层；

S3、使微圆盘覆于所述柔性焦糖层上，并在所述微圆盘远离柔性焦糖层的表面附着未固化的粘接剂层；

S4、将经过S3的柔性焦糖层和所述基板叠合以使微圆盘、基板通过所述粘接剂层发生粘接；

S5、剥离经过S4的柔性焦糖层。

2.根据权利要求1所述倒装Micro-LED芯片，其特征在于，剥离柔性焦糖层的方式为：将柔性焦糖层浸渍于水中，直至柔性焦糖层发生崩解。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述Micro-LED芯片的制备包括以下步骤：

S11、在衬底上外延生长n型氮化镓层、多量子阱有源区，p型氮化镓层，形成外延片；

S12、对所述外延片进行刻蚀直至暴露出n型氮化镓层，以形成第一n型通孔；

S13、在所述p型氮化镓表面不设置通孔结构的部分沉积透明导电层；

S14、在所述透明导电层表面沉积布拉格反射镜；

S15、在所述布拉格反射镜表面沉积p电极；

S16、在所述p电极表面沉积绝缘层，并对该绝缘层蚀刻至与所述第一n型通孔贯通形成第二n型通孔；

S17、在所述第二n型通孔内和绝缘层表面沉积n电极；

S18、在所述n电极表面沉积保护层，并对所述保护层进行蚀刻，以形成p电极接触孔、n电极接触孔；

S19、在所述p电极接触孔、n电极接触孔内以及所述保护层表面沉积出p焊盘、n焊盘，其中p焊盘通过p接触孔与p反射电极相连，n焊盘通过n接触孔与n电极相连。

4.根据权利要求3所述倒装制备方法，其特征在于，所述保护层为二氧化硅。

5.根据权利要求3所述倒装制备方法，其特征在于，S14中，所述布拉格反射镜表面刻蚀有第一p型通孔，以通过所述第一p型通孔实现布拉格反射镜透明导电层电连接。

6.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，S17中，所述n电极开设有第二p型通孔。

7.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材质为ITO。

8.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，S13中，所述沉积为磁控溅射；

S14、S18中，所述沉积为等离子体增强化学气相沉积；

S15、S17、S19中，所述沉积为光刻和电子束蒸发。

9.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，形成第一n型通孔的刻蚀为电感耦合等离子体刻蚀；

形成第二n型通孔的蚀刻为光刻和BOE湿法腐蚀工艺。

10.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，S13中，所述沉积之后包括退火，所述退火的条件为在550℃的氮气环境。