[发明专利]热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法

说明书

本公开提供一种热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法，热场组件包括：底加热器，底加热器包括相背设置的顶面和底面，底加热器上设有贯穿顶面和底面的第一螺栓孔；呈托盘状的底部盖板，底部盖板包括相背的顶盘面和底盘面，底加热器设置于顶盘面且底面直接接触顶盘面，底部盖板采用绝缘且耐高温材料制成，底部盖板上设有与第一螺栓孔对应的第二螺栓孔；及底电极，底电极位于底盘面背离顶盘面的一侧，且底电极通过穿设于第一螺栓孔和第二螺栓孔内的紧固螺栓直接连接至底加热器上。本公开提供的热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法，能够及时发现漏液。

技术领域

本发明涉及拉晶技术领域，尤其涉及一种热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法。

背景技术

在现有技术中，用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片，主要通过将直拉(Czochralski，CZ)法拉制的单晶硅棒切片而制造出。直拉法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在相界面处生长出单晶硅棒。硅单晶棒拉制过程中，有时会出现硅料泄露的异常情况，但是，相关技术中拉晶炉设备没有称重晶棒及剩余硅料的功能，只能靠作业人员时刻关注炉内情况来发现硅液泄露。若不能及时发现硅料泄露，炙热的硅料流入排气管中时间过久会造成重大异常事故。

发明内容

本公开实施例提供了一种热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法，能够及时发现漏液。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

第一方面，本公开实施例提供一种热场组件，包括：

底加热器，所述底加热器包括相背设置的顶面和底面，所述底加热器上设有贯穿所述顶面和所述底面的第一螺栓孔；

呈托盘状的底部盖板，所述底部盖板包括相背的顶盘面和底盘面，所述底加热器设置于所述顶盘面且所述底面直接接触所述顶盘面，所述底部盖板采用绝缘且耐高温材料制成，所述底部盖板上设有与所述第一螺栓孔对应的第二螺栓孔；及

底电极，所述底电极位于所述底盘面背离所述顶盘面的一侧，且所述底电极通过穿设于所述第一螺栓孔和所述第二螺栓孔内的紧固螺栓直接连接至所述底加热器上。

示例性的，所述底部盖板的材质为耐高温陶瓷材料。

示例性的，所述底部盖板中心还设有贯穿所述顶盘面与所述底盘面的通孔。

示例性的，所述底加热器围绕在所述通孔的外围。

第二方面，本公开实施例提供一种漏液检测装置，包括：

如上所述的热场组件，所述底加热器、所述底部盖板和所述底电极分别位于单晶炉内坩埚的下方；

电学检测器，与所述底加热器连接，用于实时检测所述底加热器的电学参数；

处理器，与所述电学检测器连接，用于根据来自所述电学检测器实时反馈的所述电学参数，实时判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液；

报警器，与所述处理器连接，用于当实时判断结果为所述底加热器上存在漏液时进行报警。

示例性的，所述电学参数包括所述底加热器的电阻值；

所述处理器用于接收所述电学检测器所反馈的所述底部加热器的实时电阻值，并根据预定时间内所反馈的所述实时电阻值的数值变化，判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液。

第三方面，本公开实施例提供一种单晶炉，所述单晶炉包括：

炉体；

设置于所述炉体内的坩埚；及

设置于所述炉体内的如上所述的漏液检测装置。