[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源区，由器件隔离区限定在基底中；

沟槽，在第一方向上纵长地延伸以与有源区交叉；

掩埋栅极结构，分别掩埋在沟槽中，并且具有位于比有源区的上表面的水平低的水平上的上表面；

缓冲结构，覆盖有源区、器件隔离区和掩埋栅极结构；

位线结构，在有源区上在与第一方向交叉的第二方向上纵长地延伸，并且连接到有源区；

存储节点接触件，位于位线结构之间，穿过缓冲结构，并且与有源区接触；以及

电容器结构，与存储节点接触件的上表面接触，

其中，缓冲结构包括：

第一缓冲图案，沿着有源区、器件隔离区和掩埋栅极结构的上表面的轮廓延伸，并且具有包括凹部的上表面；

第二缓冲图案，至少包括第一部分，所述第一部分填充第一缓冲图案的上表面的凹部；以及

第三缓冲图案，位于第一缓冲图案和第二缓冲图案上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，第一缓冲图案的上表面的凹部位于掩埋栅极结构上，并且

其中，第二缓冲图案的第一部分与掩埋栅极结构竖直地叠置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，缓冲结构包括：

第一区域，在第一区域中，第一缓冲图案至第三缓冲图案顺序地堆叠；以及

第二区域，在第二区域中，第三缓冲图案直接堆叠在第一缓冲图案上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，缓冲结构的第一区域位于掩埋栅极结构上，并且

其中，缓冲结构的第二区域位于有源区和器件隔离区上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，第一缓冲图案和第三缓冲图案包括氧化硅，并且

其中，第二缓冲图案包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二缓冲图案还包括第二部分，所述第二部分位于第一缓冲图案上并将第一部分彼此连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第二部分的厚度比第一部分的厚度薄。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第二部分位于定位在有源区的上表面和器件隔离区的上表面上的第一缓冲图案上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一缓冲图案的厚度大于第三缓冲图案的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个掩埋栅极结构包括位于对应的沟槽下方的字线和位于该字线上的覆盖图案。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

间隔件结构，位于每个位线结构的侧壁上。

12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源区，由器件隔离区限定在基底中；

字线，掩埋在基底中，在第一方向上纵长地延伸，并且位于比基底的上表面的水平低的水平上；

覆盖图案，掩埋在基底中，位于字线上，并且具有位于比基底的上表面的水平低的水平上的上表面；以及

缓冲结构，位于器件隔离区、有源区和覆盖图案上，

其中，缓冲结构包括位于有源区和器件隔离区上的第一区域以及位于覆盖图案上的第二区域，

其中，第一区域具有第一厚度，并且

其中，第二区域具有比第一厚度大的第二厚度。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，缓冲结构的下表面具有根据基底和覆盖图案的上表面的轮廓的形状。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，缓冲结构的上表面具有基本平坦的形状。