[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器

权利要求书

1.一种装置，包括：

占空比控制器，包括调谐电路，所述调谐电路包括：

第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管实施为电容器，所述调谐电路被配置为对所述第一场效应晶体管进行放电以延迟所述占空比控制器的输出时钟信号的一部分；

第二场效应晶体管，所述调谐电路被配置为激活所述第二场效应晶体管以将所述第一场效应晶体管的源极和漏极连接到电压源；以及

第三场效应晶体管，所述调谐电路被配置为激活所述第三场效应晶体管以将所述第一场效应晶体管的所述源极和所述漏极连接到地。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第二场效应晶体管包括n型场效应晶体管和p型场效应晶体管中的一者，并且所述第三场效应晶体管包括所述n型场效应晶体管和所述p型场效应晶体管中的另一者；以及

所述占空比控制器被配置为接收控制信号作为输入，所述控制信号被配置为在选择和取消选择所述第一场效应晶体管时，激活所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管中的一者，并且去激活所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管中的另一者。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二场效应晶体管的激活将所述第一场效应晶体管从所述占空比控制器取消选择。

4.根据权利要求3所述的装置，其中将所述第一场效应晶体管从所述占空比控制器取消选择包括：利用所述电压源将所述第一场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的所述源极以及与所述第一场效应晶体管的所述漏极之间的电压差分设置为0V。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第三场效应晶体管的激活选择用于充电和放电的所述第一场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述占空比控制器包括多个调谐电路，所述多个调谐电路包括所述调谐电路，所述多个调谐电路中的每个调谐电路能够被选择用于充电和放电。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述占空比控制器包括连接到所述第一场效应晶体管的边沿延迟电路，所述边沿延迟电路被配置为：接收输入时钟信号，并且至少部分地基于所述调谐电路和所述输入时钟信号来生成所述输出时钟信号。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述边沿延迟电路包括第四场效应晶体管，所述第四场效应晶体管在被激活时被配置为将所述第一场效应晶体管连接到所述输出时钟信号。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第四场效应晶体管的栅极被连接到第二电压源，所述第四场效应晶体管被配置为：至少部分地基于所述第一场效应晶体管的放电电压超过所述第四场效应晶体管的栅极与源极之间的电压阈值，来将所述第一场效应晶体管连接到所述输出时钟信号，所述电压阈值至少部分地基于所述第四场效应晶体管的温度而变化。

10.一种装置，包括：

占空比控制器，包括：

调谐电路，包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管被配置为实施为电容器；以及

边沿延迟电路，包括：

第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管在被所述占空比控制器的输入时钟信号激活时被配置为将电压源连接到所述占空比控制器的输出时钟信号；以及

第三场效应晶体管，所述第三场效应晶体管在被激活时被配置为将所述调谐电路的所述第一场效应晶体管连接到所述输出时钟信号。

11.根据权利要求10所述的装置，其中：

所述电压源是第一电压源；并且

所述第三场效应晶体管的栅极被连接到第二电压源。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第三场效应晶体管的源极和漏极在所述第二场效应晶体管被激活时具有相同的电压电势。