[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器

说明书

本公开涉及金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器。在实施例中，公开了一种包括占空比控制器的装置。占空比控制器包括调谐电路，该调谐电路包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管被配置为实施为电容器。占空比控制器还包括边沿延迟电路。边沿延迟电路包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管在被占空比控制器的输入时钟信号激活时被配置为将电压源连接到占空比控制器的输出时钟信号。边沿延迟电路还包括第三场效应晶体管，该第三场效应晶体管在被激活时被配置为将调谐电路的所述第一场效应晶体管连接到输出时钟信号。

背景技术

本公开涉及时钟占空比调谐。更具体地，本公开在一些实施例中涉及双倍数据速率(DDR)随机存取存储器(RAM)模块中的占空比控制器(DCC)。

在高速数据处理应用中，通常重要的是，将时钟占空比维持在目标水平。然而，在一些情况下，时钟占空比可能由于工艺-电压-温度(PVT)和组件失配而广泛地变化。减轻由于PVT和组件失配而导致的时钟占空比的这种变化可以是具有挑战性的。

发明内容

在实施例中，公开了一种包括占空比控制器的装置，该占空比控制器包括调谐电路。调谐电路包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管实施为电容器。调谐电路被配置为对第一场效应晶体管进行放电，以使占空比控制器的输出时钟信号的一部分延迟。调谐电路还包括第二场效应晶体管。调谐电路被配置为激活第二场效应晶体管以将第一场效应晶体管的源极和漏极连接到电压源。调谐电路还包括第三场效应晶体管。调谐电路被配置为激活第三场效应晶体管以将第一场效应晶体管的源极和漏极连接到地(ground)。

在另一实施例中，公开了一种包括占空比控制器的装置。占空比控制器包括调谐电路，该调谐电路包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管被配置为实施为电容器。占空比控制器还包括边沿延迟电路。边沿延迟电路包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管在被占空比控制器的输入时钟信号激活时被配置为将电压源连接到占空比控制器的输出时钟信号。边沿延迟电路还包括第三场效应晶体管，该第三场效应晶体管在被激活时被配置为将调谐电路的第一场效应晶体管连接到输出时钟信号。

在又一实施例中，公开了一种包括第一场效应晶体管的装置。第一场效应晶体管被配置为实施为电容器。该装置还包括第二场效应晶体管。该装置被配置为激活第二场效应晶体管以将第一场效应晶体管的源极和漏极连接到第一电压源。该装置还包括第三场效应晶体管。该装置被配置为激活第三场效应晶体管以将第一场效应晶体管的源极和漏极连接到地。该装置还包括第四场效应晶体管，该第四场效应晶体管在被输入时钟信号激活时被配置为将第二电压源连接到输出时钟信号；以及第五场效应晶体管，该第五场效应晶体管在被激活时被配置为将第一场效应晶体管连接到输出时钟信号。

前述发明内容仅仅是说明性的，且不旨在以任何方式进行限制。除上面描述的说明性方面、实施例和特征之外，其他方面、实施例和特征将通过参考附图和以下详细描述而变得显而易见。在附图中，相似附图标记指示相同或功能上类似的元件。

附图说明

图1是根据实施例的示例存储器系统的示图。

图2是图示了根据实施例的图1的存储器系统的示例存储器模块的框图。

图3是根据实施例的图2的存储器模块的示例占空比控制器(DCC)的框图。

图4是根据实施例的图3的DCC的示例调谐电路的电路图。

图5是根据实施例的图3和图4的DCC的示例边沿延迟电路和示例调谐电路的电路图。

图6是根据实施例的图3的DCC的占空比调谐范围的示例曲线图。

图7是根据实施例的图3的DCC在各种温度处的占空比调谐范围的示例曲线图。

图8是根据另一实施例的具有温度校正的示例边沿延迟电路的电路图。