[发明专利]一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法在审
申请号: | 202211628128.3 | 申请日: | 2022-12-16 |
公开(公告)号: | CN116190735A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 邵志刚;任志伟;赵云 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01M8/103 | 分类号: | H01M8/103;H01M8/1037;H01M8/1086;H01M8/1081;H01M8/1051;C08J5/22;C08L79/04 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 房艳萍;李馨 |
地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含硅氧 网络 阴离子 交换 及其 制备 方法 | ||
1.一种含硅氧网络阴离子交换膜,其特征在于,所述阴离子交换膜为聚芳香基哌啶共聚物,其结构如通式所示:
其中,Ar为以下单体中任意一种,或者采用以下任意至少两种单体共聚;
R选自以下结构;
2.根据权利要求1所述的一种含硅氧网络阴离子交换膜,其特征在于,聚合物主链为芳香基聚合物,阳离子功能基团为含硅基哌啶环季铵盐。
3.一种硅氧网络阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)碘硅氧烷化合物的制备
将氯硅氧烷化合物溶解在乙腈中,加入碘化钠,在90-110℃回流24-48h;随后通过旋蒸除去乙腈,剩余溶液通过减压蒸馏分离得到碘硅氧烷化合物;
其中,所述氯硅氧烷化合物为碘甲基三甲氧基硅烷、碘甲基二甲氧基甲基硅烷和碘甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种;所述碘硅氧烷化合物为碘甲基三甲氧基硅烷、碘甲基二甲氧基甲基硅烷、碘甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种;
(2)硅氧烷的修饰
将聚芳基哌啶聚合物(溶解在二甲基亚砜中,加入步骤(1)所得的碘硅氧烷化合物,控制温度在50-100℃,季铵化反应进行24-72h,反应结束后,得到了硅氧烷修饰的聚芳基哌啶聚合物溶液;
(3)阴离子交换膜的制备
将步骤(2)中所得的聚合物溶液用二甲基亚砜稀释,稀释后聚合物溶液浓度为2-20wt%,充分混合均匀后倒入模具中浇铸或刮涂,干燥成膜后得到季铵化的硅氧烷修饰的聚芳基哌啶阴离子交换膜;
(4)硅氧烷的水解
将步骤(3)中所得的阴离子交换膜浸泡在氢氧化钾溶液或饱和碳酸钾溶液中,60-100℃水解反应1-5h,反应结束后,得到了含硅氧网络的哌啶季铵盐阴离子交换膜。
4.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的氯硅氧烷化合物和碘化钠的物质的量比为1:1-20。
5.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述硅氧烷化合物与聚芳基哌啶聚合物的物质的量比为1-10:1。
6.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述稀释后聚合物溶液的浓度为1-20wt%。
7.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述氢氧化钾溶液的浓度为1-5M。
8.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,所述聚芳基哌啶聚合物选自对三联苯哌啶聚合物、聚芴基哌啶聚合物、聚螺环哌啶聚合物。
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