[发明专利]一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211628128.3 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN116190735A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 邵志刚;任志伟;赵云 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01M8/103 分类号: H01M8/103;H01M8/1037;H01M8/1086;H01M8/1081;H01M8/1051;C08J5/22;C08L79/04
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 房艳萍;李馨
地址: 116000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 含硅氧 网络 阴离子 交换 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含硅氧网络阴离子交换膜,其特征在于,所述阴离子交换膜为聚芳香基哌啶共聚物,其结构如通式所示:

其中,Ar为以下单体中任意一种,或者采用以下任意至少两种单体共聚;

R选自以下结构;

2.根据权利要求1所述的一种含硅氧网络阴离子交换膜,其特征在于,聚合物主链为芳香基聚合物,阳离子功能基团为含硅基哌啶环季铵盐。

3.一种硅氧网络阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)碘硅氧烷化合物的制备

将氯硅氧烷化合物溶解在乙腈中,加入碘化钠,在90-110℃回流24-48h;随后通过旋蒸除去乙腈,剩余溶液通过减压蒸馏分离得到碘硅氧烷化合物;

其中,所述氯硅氧烷化合物为碘甲基三甲氧基硅烷、碘甲基二甲氧基甲基硅烷和碘甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种;所述碘硅氧烷化合物为碘甲基三甲氧基硅烷、碘甲基二甲氧基甲基硅烷、碘甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种;

(2)硅氧烷的修饰

将聚芳基哌啶聚合物(溶解在二甲基亚砜中,加入步骤(1)所得的碘硅氧烷化合物,控制温度在50-100℃,季铵化反应进行24-72h,反应结束后,得到了硅氧烷修饰的聚芳基哌啶聚合物溶液;

(3)阴离子交换膜的制备

将步骤(2)中所得的聚合物溶液用二甲基亚砜稀释,稀释后聚合物溶液浓度为2-20wt%,充分混合均匀后倒入模具中浇铸或刮涂,干燥成膜后得到季铵化的硅氧烷修饰的聚芳基哌啶阴离子交换膜;

(4)硅氧烷的水解

将步骤(3)中所得的阴离子交换膜浸泡在氢氧化钾溶液或饱和碳酸钾溶液中,60-100℃水解反应1-5h,反应结束后,得到了含硅氧网络的哌啶季铵盐阴离子交换膜。

4.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的氯硅氧烷化合物和碘化钠的物质的量比为1:1-20。

5.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述硅氧烷化合物与聚芳基哌啶聚合物的物质的量比为1-10:1。

6.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述稀释后聚合物溶液的浓度为1-20wt%。

7.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述氢氧化钾溶液的浓度为1-5M。

8.如权利要求3所述阴离子交换膜的制备方法,其特征在于,所述聚芳基哌啶聚合物选自对三联苯哌啶聚合物、聚芴基哌啶聚合物、聚螺环哌啶聚合物。

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