[发明专利]nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

权利要求书

1.一种nand flash掉电测试装置，其特征在于，包括：

作为掉电测试对象的Device设备，包括NAND Flash模组；

作为掉电测试机的Host设备，连接所述NAND Flash模组，所述Host设备用于：

在所述NAND Flash模组为raw NAND的情况下，向所述raw NAND发送第一驱动命令，以控制所述raw NAND中目标物理block和/或目标page的掉电场景和掉电时机；

在所述NAND Flash模组为包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，向所述NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令，以指示所述闪存控制器确定目标物理block和/或目标page的掉电场景和掉电时机。

2.根据权利要求1所述的掉电测试装置，其特征在于，所述Host设备包括应用处理器，所述应用处理器与所述Device设备通信连接，并对所述Device设备进行供电。

3.根据权利要求2所述的掉电测试装置，其特征在于，所述Host设备还用于：

在所述NAND Flash模组为raw NAND的情况下，完成掉电测试后向所述raw NAND发送第二驱动命令对所述目标物理block和/或目标page进行读取测试；

在所述NAND Flash模组为包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，完成掉电测试后向所述NAND芯片的闪存控制器发送第二指示命令，以指示所述闪存控制器对所述目标物理block和/或目标page进行读取测试。

4.一种nand flash掉电测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1至3任一所述的nand flash掉电测试装置中的Host设备，所述掉电测试方法包括：

在所述NAND Flash模组为raw NAND的情况下，向所述raw NAND发送第一驱动命令，以控制所述raw NAND中目标物理block和/或目标page的掉电场景和掉电时机；

或者，

在所述NAND Flash模组为包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，向所述NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令，以指示所述闪存控制器确定目标物理block和/或目标page的掉电场景和掉电时机。

5.根据权利要求4所述的掉电测试方法，其特征在于，所述向所述raw NAND发送第一驱动命令，包括：

根据掉电测试用例对所述raw NAND中的所述目标物理block和/或目标page进行编程，所述掉电测试用例包括预设掉电时机和目标物理block和/或目标page的地址；

在编程过程中根据预设掉电时机对所述Device设备断电。

6.根据权利要求4所述的掉电测试方法，其特征在于，所述向所述NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令，包括：

将掉电测试用例发送到所述闪存控制器，以指示所述闪存控制器运行所述掉电测试用例，所述掉电测试用例包括预设掉电时机和目标物理block和/或目标page的地址；

当接收到所述闪存控制器返回的掉电通知，切断对所述Device设备的供电。

7.根据权利要求5或6所述的掉电测试方法，其特征在于，所述预设掉电时机为所述NAND Flash模组处于编程操作的busy状态的时刻，或者为所述NAND Flash模组处于编程操作的busy状态并延时一段时间的时刻。

8.根据权利要求5所述的掉电测试方法，其特征在于，还包括：

当检测到所述Device设备掉电完成，重新给所述Device设备上电；

当整个掉电测试完成，向所述raw NAND发送第二驱动命令对所述目标物理block和/或目标page进行读取测试。