[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置具备：

腔室；

基板保持部，在所述腔室的内部空间中保持具有膜的基板；

加热器，对所述膜进行加热，以对所述膜进行热处理；

气体分析计，具有与所述内部空间连通的气体采样部，并对所述内部空间的特定气体进行检测；

气流形成部，包括供给部，所述供给部向所述内部空间供给非活性气体，以形成沿着所述基板的表面流动并到达所述气体采样部的所述非活性气体的气流；以及

控制器，基于所述气体分析计的输出来判定所述膜的热处理的结束。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述供给部包括至少一个供给喷嘴，通过所述至少一个供给喷嘴向所述内部空间供给所述非活性气体，

通过所述至少一个供给喷嘴供给到所述内部空间的所述非活性气体沿着所述基板的所述表面流动。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气流形成部包括从所述内部空间排出所述非活性气体的排出口，

所述排出口被配置成与由所述基板保持部保持的所述基板的中央部相向。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述排出口的轴向沿着由所述基板保持部保持的所述基板的所述表面的法线方向。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体采样部配置在所述排出口的附近。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体采样部被配置成与由所述基板保持部保持的所述基板相向。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体采样部的轴向沿着由所述基板保持部保持的所述基板的所述表面的法线方向。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体采样部的至少一部分配置在所述排出口之中。

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述至少一个供给喷嘴包括彼此相向配置的两个供给喷嘴。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述供给部包括向所述内部空间喷出所述非活性气体的供给喷嘴，且所述气流形成部包括与所述供给喷嘴相向地配置并从所述内部空间排出所述非活性气体的排出口。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体采样部的轴向朝向连结所述供给喷嘴和所述排出口的假想直线。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具备整流板，该整流板被配置成与由所述基板保持部保持的所述基板相向。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

所述整流板包括加热元件。

14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具备使所述整流板升降的升降机构。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

所述升降机构在向所述基板保持部搬送所述基板以及从所述基板保持部搬送所述基板时，将所述整流板配置在第一高度，在对所述基板的所述膜进行热处理时，将所述整流板配置在比所述第一高度低的第二高度。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述热处理包括对所述膜进行烧结的处理。