[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：腔室；基板保持部，在所述腔室的内部空间中保持具有膜的基板；加热器，对所述膜进行加热，以对所述膜进行热处理；气体分析计，具有与所述内部空间连通的气体采样部，并对所述内部空间的特定气体进行检测；气流形成部，包括供给部，所述供给部向所述内部空间供给所述非活性气体，以形成沿着所述基板的表面流动并到达所述气体采样部的非活性气体的气流；以及控制器，基于所述气体分析计的输出来判定所述膜的热处理的结束。

技术领域

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在日本特开平7-40354号公报中，记载了具有热炉、在热炉中加热试样的加热器、检测来自热炉的废气的废气检测装置、和加热工艺控制器的薄膜制造装置。在该薄膜制造装置中，在真空排气的热炉内的试样的固化中，利用废气检测装置分析从热炉排出的气体，当特定物质变得检测不到时，加热工艺控制器停止向加热器供给电力。

在试样表面的附近和从其远离的位置(例如，热炉的内表面)处，检测对象的气体的浓度可能显著不同。为了更迅速地检测出加热工艺的结束，应该采集试样表面的附近的气体并用废气检测装置对其进行分析。然而，在日本特开平7-40354号公报所记载的薄膜制造装置中，将热炉内的整个空间的气体作为对象，由废气检测装置进行分析，因此，在试样的状态反映于该分析结果之前，可能会出现相当长的时间延迟。这可能成为使加热工艺的停止延迟且降低总处理能力的主要原因。

发明内容

本发明提供有利于使对基板的膜进行热处理的总处理能力提高的技术。

本发明的第一方案涉及一种基板处理装置，所述基板处理装置具备：腔室；基板保持部，在所述腔室的内部空间中保持具有膜的基板；加热器，对所述膜进行加热，以对所述膜进行热处理；气体分析计，具有与所述内部空间连通的气体采样部，并对所述内部空间的特定气体进行检测；气流形成部，包括供给部，所述供给部向所述内部空间供给非活性气体，以形成沿着所述基板的表面流动并到达所述气体采样部的所述非活性气体的气流；以及控制器，基于所述气体分析计的输出来判定所述膜的热处理的结束。

本发明的第二方案涉及一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：将具有膜的基板搬送到配置在腔室的内部空间的基板保持部的工序；对所述膜进行加热以对所述膜进行热处理的工序；以及在所述热处理中，一边形成沿着所述基板的表面流动并到达气体分析计的气体采样部的非活性气体的气流，一边基于所述气体分析计的输出来判定所述膜的处理的结束的工序。

根据本发明，能够提供有利于使对基板的膜进行热处理的总处理能力提高的技术。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图2是从图1中的A-A面观察下方的俯视图。

图3是示意性地表示第二实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图4是示意性地表示第三实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图5是示意性地表示第四实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图6是示意性地表示第五实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图7是示意性地表示第六实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图8是表示对第六实施方式的基板处理装置中的非活性气体的流动进行模拟的结果的图。

图9是表示作为基板处理装置的使用方法的基板处理方法的图。

附图标记的说明

10：腔室；SP：内部空间；20：基板保持部；30：排出泵；40：整流板；50：供给部；60：气体分析计；62：气体采样部；70：加热器；SPA：基板处理装置；90：控制器；GFF：气流形成部。