[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

有源层；

栅极，所述栅极绝缘设置于所述有源层之上；

层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极和所述有源层；以及

源/漏金属层，所述源/漏金属层设置在所述层间绝缘层上，并与所述有源层电性连接；

其中，所述层间绝缘层内的氢元素的含量大于或等于所述有源层内的氢元素的含量，且在所述源/漏金属层对应位置处，所述有源层的方块电阻值小于1000ohm/square。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括设置于两侧的第一区与第二区，以及设置在所述第一区与所述第二区之间的第三区；

其中，所述第三区内对应的所述层间绝缘层设置在所述栅极上，所述源/漏金属层设置在所述第一区与所述第二区对应的所述层间绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区以及所述第二区内对应的所述有源层中的氢元素的含量，均大于或等于所述第三区内对应的所述有源层中的氢元素含量。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于所述第一区以及所述第二区内的所述有源层均包括第一浓度区、第二浓度区；

其中，所述第二浓度区设置在靠近所述栅极的一侧，所述第一浓度区设置在远离所述栅极的一侧，且所述第一浓度区内所述有源层的方块电阻值为100ohm/square～500ohm/square，所述第二浓度区内所述有源层的方块电阻值为500ohm/square～1000ohm/square。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一浓度区以及所述第二浓度区内，在所述层间绝缘层的厚度方向上，所述层间绝缘层靠近所述有源层一侧的所述氢元素的含量，不小于所述层间绝缘层远离所述有源层一侧的所述氢元素的含量。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一浓度区以及所述第二浓度区内，在所述有源层的厚度方向上，所述有源层靠近所述层间绝缘层一侧的所述氢元素的含量，不小于所述有源层远离所述层间绝缘层一侧的所述氢元素的含量。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层以及设置在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；

其中，所述第一层间绝缘层内的氢元素的含量不小于所述第二层间绝缘层内的氢元素的含量。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层的材料包括SiNx、CHO有机分子材料以及SiOCH聚合物材料中的任意一种。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

设置一衬底，并在所述衬底上沉积一有源层；

在所述有源层上沉积一栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上沉积一栅极层；

对所述栅极绝缘层以及所述栅极层图案化处理，并在所述栅极以及所述有源层上沉积一层间绝缘层；其中，所述层间绝缘层材料中的氢元素含量大于所述有源层内的氢元素的含量；

对所述层间绝缘层热处理，所述层间绝缘层内的氢元素转移至所述有源层未与所述栅极绝缘层接触的区域内，以使未与所述栅极绝缘层接触的所述有源层导体化；

在所述层间绝缘层上制备钝化层。