[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。阵列基板包括有源层、栅极以及层间绝缘层。层间绝缘层内的氢元素的含量大于或等于有源层内的氢元素的含量，层间绝缘层内的氢元素可向有源层中转移。且有源层的方块电阻值小于1000ohm/square。由于层间绝缘层内的氢元素可直接向有源层中扩散转移，进而使得有源层中的氢元素含量增加以达到导体化目的，从而省去对有源层离子掺杂的工艺，简化了阵列基板的制备工艺，并提高阵列基板的综合性能。

技术领域

本发明涉及显示面板的设计及制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示面板。

背景技术

随着显示面板制备技术的不断发展，人们对显示面板及装置的各种性能均提出了更高的要求。

现有技术中，在制备形成显示面板时，需要制备形成对应的阵列基板以及该阵列基板内的多个薄膜晶体管，从而保证显示面板的正常使用。其中，常用的薄膜晶体管结构一般包括源极、漏极、栅极以及有源层等功能膜层。在制备形成上述功能膜层时，一般采用多道次的蚀刻工艺处理，如依次沉积并蚀刻形成有源层图案化结构、栅极图案化结构、蚀刻形成过孔以及开孔结构、蚀刻并形成源/漏金属层电极结构，其中，在栅极图案化结构处理完成后，会继续对有源层进行导体化处理。通常采用对应的离子对有源层进行轰击，使有源层内形成富含所需的离子，并有效的提高有源层中的载流子的迁移效率，改善其接触电阻，并提高薄膜晶体管的性能。但是，在对有源层进行离子轰击掺杂的过程中，由于有源层自身材料特性的影响，以及轰击工艺和膜层厚度因素等，均会对轰击效率造成影响，进而降低有源层处理后的性能，不利于薄膜晶体管综合性能的进一步提高。

综上所述，现有技术中制备得到的薄膜晶体管，其在对薄膜晶体管的有源层进行离子掺杂，掺杂效果不理想，且掺杂工艺复杂，不利于薄膜晶体管综合性能的进一步提高。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示面板。以有效的改善现有的显示面板中薄膜晶体管的制备工艺复杂且薄膜晶体管的综合性能不理想的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

有源层；

栅极，所述栅极绝缘设置于所述有源层之上；

层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，且部分所述层间绝缘层设置在所述有源层上；以及，

源/漏金属层，所述源/漏金属层设置在所述层间绝缘层上，并与所述有源层电性连接；

其中，所述层间绝缘层内的氢元素的含量大于或等于所述有源层内的氢元素的含量，且在所述源/漏金属层对应位置处，所述有源层的方块电阻值小于1000ohm/square。

根据本发明一实施例，所述有源层包括设置在所述有源层两侧的第一区与第二区，以及设置在所述第一区与所述第二区之间的第三区；

其中，所述第三区内对应的所述层间绝缘层设置在所述栅极上，所述源/漏金属层设置在所述第一区与所述第二区对应的所述层间绝缘层上。

根据本发明一实施例，所述第一区以及所述第二区内对应的所述有源层中的氢元素的含量，均大于或等于所述第三区内对应的所述有源层中的氢元素含量。

根据本发明一实施例，在所述第一区以及所述第二内，所述有源层均包括第一浓度区、第二浓度区；

其中，所述第二浓度区设置在靠近所述栅极的一侧，所述第一浓度区设置在远离所述栅极的一侧，且所述第一浓度区内所述有源层的方块电阻值为100ohm/square～500ohm/square，所述第二浓度区内所述有源层的方块电阻值为500ohm/square～1000ohm/square。