[发明专利]一种薄膜电路产品制备方法在审
申请号: | 202211653664.9 | 申请日: | 2022-12-22 |
公开(公告)号: | CN115802627A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 丁明建;杨俊锋;冯毅龙;严裕杨 | 申请(专利权)人: | 广州天极电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/02 | 分类号: | H05K3/02 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 常祖正 |
地址: | 511400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电路 产品 制备 方法 | ||
1.一种薄膜电路产品制备方法,其特征在于,包括:
采用离子注入方式在基板上沉积一层铜金属电极层,形成注入铜离子后的基板;注入的铜原子在高速离子束的作用下进入到所述基板的浅表面内;
对所述注入铜离子后的基板进行处理,制备薄膜电路产品。
2.根据权利要求1所述的薄膜电路产品制备方法,其特征在于,所述采用离子注入方式在基板上沉积一层铜金属电极层,形成注入铜离子后的基板,之前还包括:
使用有机溶剂丙酮或酒精对所述基板进行超声清洗,生成清洗后的基板;
在100℃下,对所述清洗后的基板烘干10分钟。
3.根据权利要求1所述的薄膜电路产品制备方法,其特征在于,所述采用离子注入方式在基板上沉积一层铜金属电极层,形成注入铜离子后的基板,具体包括:
利用离子注入机向所述基板注入铜离子,控制注入时间,在所述基板上沉积成厚度范围为80nm~120nm的铜金属电极层,形成注入铜离子后的基板;注入能量范围为70keV~90keV,注入剂量范围为1×107ions/cm2~2×107ions/cm2。
4.根据权利要求1所述的薄膜电路产品制备方法,其特征在于,所述对所述注入铜离子后的基板进行处理,制备薄膜电路产品,具体包括:
利用磁控溅射机对所述注入铜离子后的基板溅射多层金属电极层;所述金属层包括钛钨层、镍层以及金层;
通过电镀方式加厚所述金层的厚度;
在加厚的金层的基础上,使用匀胶机在所述注入铜离子后的基板上制备一层光刻胶;
通过硬掩膜,使用曝光机曝光所述光刻胶,生成曝光后的光刻胶;
对所述曝光后的光刻胶显影,生成曝光后的光刻胶图形,并通过湿化学法分别对所有金属电极层进行刻蚀,形成划切通道;
使用划片机按照所述划切通道划切具有所述曝光后的光刻胶图形的基板,形成单一的薄膜电路产品。
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