[发明专利]一种应用于数据接收器的高压缓冲电路及数据接收器在审

专利信息
申请号: 202211654508.4 申请日: 2022-12-22
公开(公告)号: CN115967269A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 彭剑英;胡振波;李飞雄;赵鹏冲;杨泽卫 申请(专利权)人: 芯来智融半导体科技(上海)有限公司
主分类号: H02M3/06 分类号: H02M3/06;H02M1/34
代理公司: 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 代理人: 王乾旭
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 数据 接收器 高压 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于数据接收器的高压缓冲电路,用于对输入电压进行转换处理后传输到数据接收器,其特征在于,所述电路包括分压电路、电压选择电路,输出缓冲电路,其中:

所述分压电路串联在输入电压和零电压之间,其包括多个串联的电阻,用于对输入电压进行分压;

所述电压选择电路包括输入端和输出端,其输入端与分压电路中的电阻节点相连,输出端与输出缓冲电路相连,用于在电阻上的分压电压与内部供电电压中选择高电压并传输到输出缓冲电路;

所述输出缓冲电路串联在输入电压和数据接收器之间,其包括多个串联的MOS管,用于将输入电压转换为数据接收器能够承受的电压。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述输出缓冲电路包括多个串联的NMOS管,相邻的前一个NMOS管的源级与后一个NMOS管的漏极相连,且第一个NMOS管的漏极与输入电压相连,最后一个NMOS管的源级连接零电压,倒数第二个NMOS管的栅级与最后一个NMOS管的栅极连接使能信号、倒数第二个NMOS管的源级与最后一个NMOS管的漏极连接数据接收器;

其中,所述输出缓冲电路被配置为在使能信号控制下向数据接收器输出零电压或倒数第二个NMOS管的源极电压。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述输出缓冲电路包括依次串联的第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管,其中,第四NMOS管的源级连接零电压,第三NMOS管和第四NMOS管的栅极连接使能信号,第三NMOS管的源级和第四NMOS管的漏极连接数据接收器。

4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述输出缓冲电路包括依次串联的第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管,其中,第五NMOS管的源级连接零电压,第四NMOS管和第五NMOS管的栅极连接使能信号,第四NMOS管的源级和第五NMOS管的漏极连接数据接收器。

5.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述输出缓冲电路包括依次串联的第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管,其中,第六NMOS管的源级连接零电压,第五NMOS管和第六NMOS管的栅极连接使能信号,第五NMOS管的源级和第六NMOS管的漏极连接数据接收器。

6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述输出缓冲电路包括依次串联的第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管,其中,第七NMOS管的源级连接零电压,第六NMOS管和第七NMOS管的栅极连接使能信号,第六NMOS管的源级和第七NMOS管的漏极连接数据接收器。

7.根据权利要求3-6任一所述的电路,其特征在于,所述第一NMOS管的漏极与输入电压之间串联有输出缓冲电路保护电阻。

8.根据权利要求3-6任一所述的电路,其特征在于,所述分压电路包括依次串联的:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻,其中,所述第二电阻的阻抗是所述第一电阻阻抗的三倍,所述第三电阻的阻抗是所述第一电阻阻抗的两倍,所述第四电阻是所述第一电阻阻抗的四倍,且所述第一电阻还与输入电压相连,所述第四电阻还接零电压。

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