[发明专利]硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版

权利要求书

1.一种掩膜版，用于制备硅基显示面板的蒸镀层，其特征在于，包括：至少一个开口部和围绕各所述开口部的遮挡部；

所述遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的尺寸小于所述遮挡部的尺寸；

在采用所述掩膜版蒸镀所述蒸镀层时，所述支撑结构与所述硅基显示面板的硅基衬底接触。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在垂直于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的高度H的取值范围为：40μm＜H＜80μm。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述支撑结构包括分散设置的多个支撑柱。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，当所述掩膜版包括多个所述开口部时，多个所述开口部阵列排布；所述支撑柱位于相邻两行和/或相邻两列所述开口部之间。

5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述开口部的行方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠；和/或，在所述开口部的列方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠。

6.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，每个所述支撑柱与所述硅基衬底的接触面的接触面积S的取值范围为：0＜S＜1mm²。

7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述支撑结构包括环绕所有所述开口结构的支撑环。

8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的材料包括弱磁性材料。

9.一种硅基显示面板中蒸镀层的制备方法，其特征在于，包括：

提供硅基衬底；

将权利要求1-8任一项所述的掩膜版放置于所述硅基衬底的一侧；所述掩膜版的支撑结构与所述硅基衬底接触；

将蒸镀材料通过所述掩膜版的开口部蒸镀至所述硅基衬底靠近所述掩膜版的一侧，以形成所述硅基显示面板的蒸镀层。

10.一种硅基显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的掩膜版制备。