[发明专利]硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版

说明书

本发明公开了一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版，该掩膜版用于制备硅基显示面板的蒸镀层，包括：至少一个开口部和围绕各开口部的遮挡部；遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于遮挡部的第一表面的方向上，支撑结构的尺寸小于遮挡部的尺寸；在采用掩膜版蒸镀蒸镀层时，支撑结构与硅基显示面板的硅基衬底接触。本发明的技术方案通过在遮挡部的第一表面设置支撑结构，且在平行于遮挡部的第一表面的方向上，支撑结构的尺寸小于遮挡部的尺寸，使采用该掩膜版蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，仅支撑结构与硅基显示面板的硅基衬底接触，从而可以减少掩膜版上附着的粉尘微粒转移到硅基衬底，进而提高硅基衬底的洁净度，提高产品性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版。

背景技术

真空蒸镀是OLED面板生产过程中的关键环节，而作为蒸镀有机材料、金属材料等蒸镀层的掩膜版为其关键结构部件。相对于大尺寸的OLED面板，硅基微显示面板由于尺寸小、像素单元小，所以对粉尘颗粒大小和数量的要求更严格。

现有技术中，在蒸镀硅基微显示面板中蒸镀层时，掩膜版与硅基衬底表面紧紧贴住，蒸发材料透过特定图案的掩膜版开口，沉积在硅基衬底表面。但是，掩膜版与硅基衬底贴合后，掩膜版上的粉尘微粒会转移到硅基衬底上，从而导致硅基衬底表面粉尘微粒的增加，会影响OLED器件封装效果，造成器件失效，产生黑点，影响产品性能。

发明内容

本发明提供了一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版，以解决现有技术存在的问题，提高硅基衬底的洁净度，从而提高产品性能。

第一方面，本发明提供了一种掩膜版，用于制备硅基显示面板的蒸镀层，包括：至少一个开口部和围绕各所述开口部的遮挡部；

所述遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的尺寸小于所述遮挡部的尺寸；

在采用所述掩膜版蒸镀所述蒸镀层时，所述支撑结构与所述硅基显示面板的硅基衬底接触。

可选的，在垂直于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的高度H的取值范围为：40μm＜H＜80μm。

可选的，所述支撑结构包括分散设置的多个支撑柱。

可选的，当所述掩膜版包括多个所述开口部时，多个所述开口部阵列排布；所述支撑柱位于相邻两行和/或相邻两列所述开口部之间。

可选的，在所述开口部的行方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠；和/或，在所述开口部的列方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠。

可选的，每个所述支撑柱与所述硅基衬底的接触面的接触面积S的取值范围为：0＜S＜1mm²。

可选的，所述支撑结构包括环绕所有所述开口结构的支撑环。

可选的，所述掩膜版的材料包括弱磁性材料。

第二方面，本发明提供一种硅基显示面板中蒸镀层的制备方法，包括：

提供硅基衬底；

将上述任一所述的掩膜版放置于所述硅基衬底的一侧；所述掩膜版的支撑结构与所述硅基衬底接触；

将蒸镀材料通过所述掩膜版的开口部蒸镀至所述硅基衬底靠近所述掩膜版的一侧，以形成所述硅基显示面板的蒸镀层。

第三方面，本发明提供一种硅基显示面板，采用上述任一所述的掩膜版制备。