[发明专利]一种半导体多芯片异质集成结构及集成方法

权利要求书

1.一种半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，包括:

重布线结构；

倒装在所述重布线结构一侧的若干间隔的第一组芯片，第一组芯片与所述重布线结构电连接；

绝缘膜，所述绝缘膜覆盖第一组芯片背离所述重布线结构的一侧表面、第一组芯片的侧壁表面、以及相邻第一组芯片之间的重布线结构的表面；相邻第一组芯片之间的绝缘膜背离所述重布线结构的一侧表面具有沉槽；

第二组芯片，位于所述沉槽中，第二组芯片的正面朝向重布线结构，所述第二组芯片与所述重布线结构电连接；

塑封层，所述塑封层覆盖所述绝缘膜和所述第二组芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，所述沉槽的深度为10μm-100μm。

3.根据权利要求1所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，所述沉槽的底部表面的长度和宽度分别大于第二组芯片的长度和宽度尺寸。

4.根据权利要求1所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，相邻第一组芯片和第二组芯片之间的最小横向间距为15μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，还包括：导电件，贯穿相邻的第一组芯片之间的绝缘膜，所述导电件的一端与第二组芯片的正面电连接、另一端与重布线结构电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，所述绝缘膜包括干膜、环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯撑苯并二噁唑、苯并环丁烯、氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求1-4任一项所述的半导体多芯片异质集成结构，其特征在于，还包括：焊球，位于所述重布线结构背离所述第一组芯片和第二组芯片的一侧且与重布线结构电连接。

8.一种半导体多芯片异质集成结构的集成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供临时载板、若干第一组芯片、以及第二组芯片；

将所述第一组芯片倒装在所述临时载板的一侧，若干第一组芯片间隔设置；

在所述第一组芯片背离所述临时载板的一侧表面、第一组芯片的侧壁表面、以及相邻第一组芯片之间的临时载板上形成绝缘膜，相邻第一组芯片之间的绝缘膜背离所述临时载板的一侧表面具有沉槽；

将所述第二组芯片设置在所述沉槽中，第二组芯片的正面朝向重布线结构；

形成覆盖所述绝缘膜和所述第二组芯片的塑封层；

形成所述塑封层之后，去除所述临时载板；

去除所述临时载板之后，在所述第一组芯片和绝缘膜背离所述塑封层的一侧形成重布线结构，所述重布线结构用于和第一组芯片的正面以及第二组芯片的正面电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体多芯片异质集成结构的集成方法，其特征在于，还包括：

去除所述临时载板之后、且在形成重布线结构之前，在所述相邻的第一组芯片之间的绝缘膜中形成贯穿绝缘膜的导电件，所述导电件的一端与第二组芯片的正面电连接；

形成所述重布线结构之后，所述导电件的另一端与重布线结构电连接。

10.根据权利要求8所述的半导体多芯片异质集成结构的集成方法，其特征在于，还包括：

将所述第一组芯片倒装在所述临时载板的一侧之前，在所述临时载板的一侧表面形成键合胶膜；

将所述第一组芯片倒装在所述临时载板的一侧的步骤中，第一组芯片的正面与键合胶膜粘结；在形成绝缘膜的步骤中，相邻第一组芯片之间的绝缘膜与键合胶膜粘结；

去除所述临时载板的过程中，将键合胶膜去除。

11.根据权利要求8所述的半导体多芯片异质集成结构的集成方法，其特征在于，还包括：形成绝缘膜之后，且将所述第二组芯片设置在所述沉槽中之前，采用加热滚轮热压绝缘膜。

12.根据权利要求8-11任一项所述的半导体多芯片异质集成结构的集成方法，其特征在于，还包括：在所述重布线结构背离所述第一组芯片和第二组芯片的一侧形成与重布线结构电连接的焊球。