[发明专利]压力传感器的制作方法及压力传感器

权利要求书

1.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：

提供一顶硅片，在所述顶硅片上形成第一掩蔽层；

提供一底硅片，在所述底硅片上形成一空腔；将所述顶硅片和所述底硅片键合；

将所述顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在所述感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；

通过离子注入或者扩散方式，在对应所述图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；

在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；

通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；

制作电极分别与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接。

2.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述图形层区形成多个P型轻掺杂区的步骤包括：

在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述左P型轻掺杂区为压力传感器P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区为温度传感器P型轻掺杂区；

所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式分别在所述左P型轻掺杂区和所述右P型轻掺杂区形成所述P型重掺杂区。

3.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述顶硅片上形成第一掩蔽层的步骤之后，还包括步骤：

通过离子注入或者扩散方式，在所述顶硅片上形成P型轻掺杂子区；

所述在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区的步骤还包括：

所述中间P型轻掺杂区与所述P型轻掺杂子区连接形成分隔所述压力传感器和所述温度传感器的电隔离区。

4.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区两侧、以及所述左P型轻掺杂区外分别形成所述N型重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述顶硅片上形成隔离区的步骤还包括：

在所述顶硅片上形成隔离区和N+层，所述N+层与所述右P型轻掺杂区面对设置。

6.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式，在所述右P型轻掺杂区形成所述N型重掺杂区。

7.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作电极与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接的步骤包括：

在所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区对应位置分别形成接触孔；

在所述接触孔位置分别制作金属连接线和焊盘；

生长保护层，蚀刻掉焊盘位置对应的所述保护层以暴露出焊盘。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述进行光刻图形化形成图形层的步骤包括：

在所述第二掩蔽层上形成一层光刻胶层，通过黄光光刻在所述光刻胶层上形成所述图形层。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：

在部分所述P型轻掺杂区位置注入P型重掺杂离子形成所述P型重掺杂区，所述P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区的步骤包括：

通过注入N型重掺杂离子，形成所述N型重掺杂区，所述N型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。