[发明专利]压力传感器的制作方法及压力传感器

说明书

本发明提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器，压力传感器的制作方法包括以下步骤：提供一顶硅片，在顶硅片上形成第一掩蔽层；提供一底硅片，在底硅片上形成一空腔；将顶硅片和底硅片键合；将顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；通过离子注入或者扩散方式，在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；制作电极与N型重掺杂区和P型重掺杂区连接。该压力传感器的制作方法具有高集成度、高灵敏度、小型化，高通用性、可检测传感器温度，实时温度校准的优点。

要求优先权：

本申请要求于2022年08月23日提交中国专利局、申请号为202211013110.2、申请名称为“压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备”，以及于2022年08月23日提交中国专利局、申请号为202211013139.0、申请名称为“集成器件、电子设备及集成器件的制作方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器的制作方法及压力传感器。

背景技术

在单个设备中测试多种环境特性是当今传感器发展方向之一。目前市面上的多传感器组合方案多基于封装实现，即通过封装实现多传感器功能的组合，此类方案成本高，性能较低，尺寸大，封装方案复杂，不符合现在越发严苛的集成电路发展要求。

传统基于压力传感器的方案，压力芯片和温度芯片通过封装集成在一起，此种方案整体封装尺寸大，成本高，且采集的温度有一定偏差；另一种方案是在压力信号处理芯片(ASIC芯片)上集成温度传感器，虽然在封装尺寸及成本上做到了优化，但是采集的温度仍然不是压力芯片工作时的真实温度。针对压力传感器温漂特性，以及需要对压力传感器进行实时温度补偿的应用场景，准确的获取差压压力传感器工作温度是非常必要的。

而现有的制备方案是在压力传感器工艺基础上进行新的工艺开发，将标准的BJTCMOS工艺集成到传感器芯片上，但采用该工艺制作的压力传感器制作成本较高：并且采用上述叠加方案需要在代工厂进行新的工艺开发和跨平台制程配合，制备过程繁琐的同时增加制造成本。

鉴于此，有必要提供一种新的压力传感器的制作方法及压力传感器，以解决或至少缓解上述技术缺陷。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器，旨在解决现有技术中压力传感器的制作成本高和制作过程繁琐的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，本发明提供一种压力传感器的制作方法，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：

提供一顶硅片，在所述顶硅片上形成第一掩蔽层；

提供一底硅片，在所述底硅片上形成一空腔；将所述顶硅片和所述底硅片键合；

将所述顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在所述感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；

通过离子注入或者扩散方式，在对应所述图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；

在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；

通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；

制作电极与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接。

在一实施例中，所述在所述图形层区形成多个P型轻掺杂区的步骤包括：

在对应所述图形层的位置形成有左P型轻掺杂区、中间P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述左P型轻掺杂区为压力传感器P型轻掺杂区，所述右P型轻掺杂区为温度传感器P型轻掺杂区。