[发明专利]一种硅腐蚀剂

说明书

本发明公开了一种硅腐蚀剂，包括第一粗腐蚀液、第二粗腐蚀液和精腐蚀液；第一粗腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和30％‑32％的六氟硅酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：六氟硅酸等于2：3：1：1；第二粗腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和90％‑98％的氟化铵组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5；精腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸和99.9％的冰乙酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1。本发明提供的腐蚀剂包括两次粗腐蚀和一次精腐蚀，对光阻玻璃芯片进行粗腐蚀和精腐蚀相结合，开沟速率快、误差小，提高了生产效率，增加了腐蚀后芯粒的一致性。

技术领域

本发明属于光阻法玻璃钝化工艺技术领域，涉及一种硅腐蚀剂。

背景技术

光阻法玻璃钝化工艺在制作过程中，化学腐蚀是比较关键的一道工序，是将经过光刻后的单晶硅基片放入低温混酸中，将未被光刻胶保护的部分通过化学反应的方式腐蚀掉，在反应一定时间后，腐蚀深度超过硼面结深，此时芯粒也就有了基本的电性。光阻法中沟槽腐蚀的情况与光阻玻璃芯片的质量密切相连。沟槽太窄，在二次曝光中，芯粒边缘的钝化玻璃宽度不够，玻璃钝化层将被破坏，起不到保护的效果；沟槽太宽，芯粒台面会变小，会导致VF、正向浪涌等参数不符合要求；沟槽太深，芯片在流转过程中容易被破坏，导致损耗显著增加；沟槽太浅，常规电性达不到要求，可能导致整片报废。因此，性能良好、易调节的腐蚀液对光阻玻璃芯片生产具有很大影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种能够有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物，提高有机发光显示面板的生产良率的掩膜板清洗剂。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种硅腐蚀剂，包括第一粗腐蚀液、第二粗腐蚀液和精腐蚀液；

所述第一粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和30％-32％的六氟硅酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：六氟硅酸等于2：3：1：1；

所述第二粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和90％-98％的氟化铵组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5；

所述精腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸和99.9％的冰乙酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1。

优选地，所述第一粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1:100，或1.1:100，或1.2:100，或1.3:100，或1.4:100，或1.5:100。

优选地，所述第二粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1:100，或1.1:100，或1.2:100，或1.3:100，或1.4:100，或1.5:100。

优选地，所述精腐蚀液与纯水配置的体积比为0.5:100，或0.6:100，或0.7:100，或0.8:100。

优选地，所述第一粗腐蚀液的腐蚀温度为10℃、11℃、12℃、13℃、14℃、15℃、16℃、17℃、18℃、19℃、20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃；所述第二粗腐蚀液的腐蚀温度为10℃、11℃、12℃、13℃、14℃、15℃、16℃、17℃、18℃、19℃、20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃；所述精腐蚀液中的腐蚀温度为-10℃、-9℃、-8℃、-7℃、-6℃、-5℃。

优选地，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的60％—70％，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的70％—80％，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度。