[发明专利]对准标记版图及其操作方法

说明书

一种对准标记版图及其操作方法，所述对准标记版图包括：多个呈旋转对称的子标记，每个子标记包含当前层子标记以及参考层子标记；其中，所述当前层子标记包含平行分布的若干条当前层条形标记，且存在至少一条当前层条形标记的长度大于其他当前层条形标记，每条当前层条形标记的宽度为当前层的关键尺寸线宽，相邻的当前层条形标记之间的距离为所述当前层的关键尺寸间距；所述参考层子标记包含平行分布的若干条参考层条形标记，且存在至少一条参考层条形标记的长度大于其他参考层条形标记。本发明可以采用同一对准标记实现多种对准、测量功能，从而提高空间利用率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种对准标记版图及其操作方法。

背景技术

随着集成电路制作工艺的不断进步，线宽的不断减小，半导体的布局也已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路。

在目前半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区(Die)和位于单元区之间的切割道(Scribe lane)，单元区用于后续形成半导体器件，切割道则是在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区分割时的切割线。

在半导体版图设计中需要设计多种对准标记(Alignment Mark)，如套刻对准标记(Overlay Alignment Mark)、扫描对准标记(Scanner Alignment Mark)、键合对准标记(Bonding Alignment Mark)等，在半导体版图设计中还需要设计各层的关键尺寸(Critical Dimension，CD)测量标记。且这些对准标记以及测量标记通常形成在切割道上。

然而，现有技术中的对准标记种类繁多，占用总空间过大，并且随着工艺复杂性增大，CD测量标记的数量也随之增加，导致空间利用率降低。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种对准标记版图及其操作方法，可以采用同一对准标记实现多种对准、测量功能，从而提高空间利用率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种对准标记版图，包括：多个呈旋转对称的子标记，每个子标记包含当前层子标记以及参考层子标记；其中，所述当前层子标记包含平行分布的若干条当前层条形标记，且存在至少一条当前层条形标记的长度大于其他当前层条形标记，每条当前层条形标记的宽度为当前层的关键尺寸线宽，相邻的当前层条形标记之间的距离为所述当前层的关键尺寸间距；所述参考层子标记包含平行分布的若干条参考层条形标记，且存在至少一条参考层条形标记的长度大于其他参考层条形标记，每条参考层条形标记的宽度为参考层的关键尺寸线宽，相邻的参考层条形标记之间的距离为所述参考层的关键尺寸间距。

可选的，长度大于其他当前层条形标记的当前层条形标记记为当前层特征标记，长度大于其他参考层条形标记的参考层条形标记记为参考层特征标记；所述当前层特征标记靠近所述对准标记中心的一端与其他当前层条形标记对齐，另一端在周围预设范围内没有除所述对准标记之外的其他图形；所述参考层特征标记靠近所述对准标记中心的一端与其他参考层条形标记对齐，另一端在周围预设范围内没有除所述对准标记之外的其他图形。

可选的，所述当前层特征标记在所述当前层子标记中的位置为非边缘位置，所述参考层特征标记在所述参考层子标记中的位置为非边缘位置。

可选的，所述当前层子标记中包含的当前层条形标记的数量为单数，所述当前层特征标记在所述当前层子标记中的位置为中心位置；所述参考层子标记中包含的参考层条形标记的数量为单数，所述参考层特征标记在所述参考层子标记中的位置为中心位置。

可选的，所述当前层特征标记在所述当前层子标记中的位置与所述参考层特征标记在所述参考层子标记中的位置一致。

可选的，所述旋转对称的旋转角呈90度，所述对准标记中的所述子标记的数量为4个。