[发明专利]多层陶瓷电容器和制造多层陶瓷电容器的方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

主体，包括多个内电极和介于所述多个内电极之间的介电层；以及

外电极，设置在所述主体上并且连接到所述多个内电极，

其中，所述外电极中的一个外电极包括第一镀层，并且所述第一镀层包括晶粒，所述晶粒的长轴和短轴的平均比例为1:1至3:1。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一镀层包括镍镀层。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述长轴表示所述晶粒的最大尺寸，并且

所述短轴表示所述晶粒的在垂直于所述长轴的测量方向的方向上测量的最大尺寸。

4.如权利要求1的多层陶瓷电容器，其中，在所述第一镀层的截面中，长轴和短轴的比例满足1:1到3:1的所述晶粒的面积是第一镀层的整个面积的50％或更大。

5.如权利要求1的多层陶瓷电容器，其中，所述晶粒的长轴和短轴的平均比例为1.5:1到2.5:1。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一镀层包括平均尺寸为0.3μm至1.5μm的晶粒。

7.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一镀层具有1μm至10μm的平均厚度。

8.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一镀层包括长轴为0.2μm至2μm的晶粒。

9.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述外电极中的所述一个外电极还包括设置在所述第一镀层上的第二镀层。

10.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二镀层包括锡镀层。

11.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二镀层具有2μm至10μm的平均厚度。

12.如权利要求9所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二镀层的平均厚度与所述第一镀层的平均厚度的平均比值为1至10。

13.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述外电极中的所述一个外电极还包括电极层，所述电极层设置在所述主体与所述第一镀层之间，并且连接到所述多个内电极。

14.一种制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：

制备主体，所述主体包括多个内电极和介于所述多个内电极之间的介电层；以及

形成与所述多个内电极连接的外电极，

其中，所述外电极中的一个外电极包括第一镀层，并且所述第一镀层通过使用周期性脉冲反向镀覆的第一镀覆来形成。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一镀层是镍镀层。

16.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一镀覆是滚镀。

17.如权利要求16所述的方法，其中，在所述第一镀覆中，用于所述滚镀的滚筒的转速满足5rpm至30rpm的范围。

18.如权利要求14所述的方法，其中，所述周期性脉冲反向镀覆在波形中包括一个或更多个反向电流。

19.如权利要求14所述的方法，其中，在所述第一镀覆中，正向电流具有0.5ASD至20ASD的电流密度，并且反向电流具有0.1ASD至20ASD的电流密度。