[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202211703183.4 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116130334A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 曹自立;李长坤;孙传恽 | 申请（专利权）人： | 华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B1/00;B08B1/04;B08B13/00 |
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| 地址： | 300350 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
S1，将晶圆放置于壳体中；
S2，使用喷液组件朝向晶圆喷射流体，其喷射方向与晶圆的旋转方向相匹配，并且，以不同角度朝向晶圆喷射流体，以使喷射的流体覆盖晶圆表面；
S3，位于晶圆两侧的清洗刷移动至清洗位置，以对晶圆的正反两面进行滚刷清洗。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述喷液组件包括喷嘴，所述喷嘴设置于晶圆上侧，以朝向晶圆的不同区域喷射流体。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述喷嘴的数量为多个，以朝向晶圆边缘区域、中心区域及中间区域喷射流体，并且，喷射的流体相互交错设置。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，朝向晶圆边缘区域设置的喷嘴至少两个，其相互对射；所述喷嘴喷射流体的落点相互交错。
5.如权利要求4所述的晶圆清洗方法，其特征在于，沿晶圆旋转方向设置的喷嘴较对射喷嘴的孔径小。
6.如权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，朝向晶圆中心区域设置的喷嘴的喷射落点位于晶圆中心点的上侧。
7.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，朝向晶圆不同区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角不同。
8.如权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，朝向晶圆中间区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角大于朝向晶圆边缘区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角。
9.如权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，朝向晶圆中心区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角大于朝向晶圆中间区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角。
10.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述喷嘴能够调整其喷射方向，朝向晶圆不同区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置竖直面的夹角不同。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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