[发明专利]一种晶圆清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶圆清洗方法，其包括：将晶圆放置于壳体中；使用喷液组件朝向晶圆喷射流体，其喷射方向与晶圆的旋转方向相匹配，并且，以不同角度朝向晶圆喷射流体，以使喷射的流体覆盖晶圆表面；位于晶圆两侧的清洗刷移动至清洗位置，以对晶圆的正反两面进行滚刷清洗。

技术领域

本发明属于晶圆后处理技术领域，具体而言，涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。

在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。尤其是在化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)中大量使用的化学试剂及研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。

晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。如专利CN112233971B公开的晶圆清洗装置，其通过支撑滚轮竖直支撑晶圆并带动其旋转，壳体上设置的喷液结构，以为晶圆清洗供给清洗液及漂洗液。喷液结构采用两侧对称结构，每侧喷管上设置5个喷嘴，喷射流体在晶圆上的落点关于过晶圆中心的纵剖面对称，如图1所示。

图1中，喷嘴采用实心锥喷嘴，液量中部强，边缘弱，因此，喷嘴喷射落点中心附近的晶圆表面，有较强的清洗液、漂洗液输送能力，可记为强作用区域。当晶圆静止时，强作用区域只分布在有限的5个位置，晶圆旋转会对布液均匀性有一定改善，但旋转的晶圆会使液体在离心力作用下朝远离晶圆中心方向散布，致使晶圆中心附近没有足量的液体直接喷射，晶圆中心区域没有足够的清洗液、漂洗液容易导致在该区域产生清洗缺陷，尤其是某些金属制程，其对清洗液、漂洗液的分布要求更高，需要改善清洗液、漂洗液在晶圆中心的供液能力。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆清洗方法，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明的实施例提供了一种晶圆清洗方法，其包括：

S1，将晶圆放置于壳体中；

S2，使用喷液组件朝向晶圆喷射流体，其喷射方向与晶圆的旋转方向相匹配，并且，以不同角度朝向晶圆喷射流体，以使喷射的流体覆盖晶圆表面；

S3，位于晶圆两侧的清洗刷移动至清洗位置，以对晶圆的正反两面进行滚刷清洗。

在一些实施例中，所述喷液组件包括喷嘴，所述喷嘴设置于晶圆上侧，以朝向晶圆的不同区域喷射流体。

在一些实施例中，所述喷嘴的数量为多个，以朝向晶圆边缘区域、中心区域及中间区域喷射流体，并且，喷射的流体相互交错设置。

在一些实施例中，朝向晶圆边缘区域设置的喷嘴至少两个，其相互对射；所述喷嘴喷射流体的落点相互交错。

在一些实施例中，沿晶圆旋转方向设置的喷嘴较对射喷嘴的孔径小。

在一些实施例中，朝向晶圆中心区域设置的喷嘴的喷射落点位于晶圆中心点的上侧。

在一些实施例中，朝向晶圆不同区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角不同。

在一些实施例中，朝向晶圆中间区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角大于朝向晶圆边缘区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角。

在一些实施例中，朝向晶圆中心区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角大于朝向晶圆中间区域设置的喷嘴与晶圆后处理装置所在水平面的夹角。