[发明专利]低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备

权利要求书

1.一种低压差线性稳压电路，其中，包括：

功率管和采样电阻，串联连接在电源电压与接地端之间，功率管和采样电阻之间的连接节点输出输出电压；

第一误差放大器，第一输入端接收输出电压，第二输入端接收第一基准电压，输出端与功率管的控制端连接；以及

补偿模块，与功率管和采样电阻之间的连接节点连接，用于当低压差线性稳压电路所处的环境温度高于第一阈值时产生指数电流以补偿所述功率管产生的漏电流，

其中，所述补偿模块在环境温度低于第一阈值时关断。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其中，所述补偿模块包括：

第一晶体管，漏极与栅极连接并与接地端连接；以及

补偿控制单元，与所述第一晶体管的源级连接提供第二基准电压，以及与所述第一晶体管的衬底端连接提供具有负温度系数的基准电压，使得所述第一晶体管在环境温度低于第一阈值时工作在截止区，在环境温度高于第一阈值时工作在亚阈值区以在功率管和采样电阻之间的连接节点与接地端之间产生所述指数电流。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其中，所述补偿控制单元包括：

负反馈单元，与所述第一晶体管的源极连接以提供第二基准电压；以及

偏置单元，与所述第一晶体管的衬底端连接以提供偏置电压，所述偏置电压随环境温度升高而降低，

其中，所述第一晶体管与所述功率管为采用相同工艺制造得到的PMOS管，且所述第一晶体管的沟道尺寸小于所述功率管的沟道尺寸。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路，其中，所述第一基准电压和所述第二基准电压为带隙基准电压的分压电压。

5.根据权利要求3或4所述的低压差线性稳压电路，其中，所述偏IA22000575

置单元包括：

电流源；以及

三极管，集电极经由所述电流源与电源电压连接，基极与集电极连接并与所述第一晶体管的衬底端连接，发射极与接地端连接。

6.根据权利要求4所述的低压差线性稳压电路，其中，所述负反馈单元包括：

第二误差放大器，第一输入端与第一晶体管的源极连接，第二输入端接收所述第二基准电压；以及

第二晶体管，连接在功率管和采样电阻之间的连接节点与所述第一晶体管的源极之间，并根据所述第二误差放大器的输出端的电压调节以将所述第二基准电压提供至所述第一晶体管的源极，

其中，所述第二晶体管为NMOS管。

7.根据权利要求5所述的低压差线性稳压电路，其中，所述第一阈值的大小与所述第二基准电压的大小负相关，或者所述第一阈值的大小与所述三极管的沟道尺寸负相关。

8.一种芯片，其中，包括权利要求1-7任一项所述的低压差线性稳压电路。

9.一种电子设备，其中，包括权利要求8所述的芯片。