[发明专利]低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备

说明书

本申请公开了一种低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备，低压差线性稳压电路包括：功率管和采样电阻，串联连接在电源电压与接地端之间，功率管和采样电阻之间的连接节点输出输出电压；第一误差放大器，第一输入端接收输出电压，第二输入端接收第一基准电压，输出端与功率管的控制端连接；补偿模块，用于当低压差线性稳压电路所处的环境温度高于第一阈值时产生指数电流以补偿功率管产生的漏电流，补偿模块在环境温度低于第一阈值时关断。本申请采用补偿模块在环境温度高于第一阈值时产生指数电流以释放掉漏电流，在环境温度低于第一阈值时关断，使得低压差线性稳压电路既能正常工作又能满足低静态功耗的要求。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备。

背景技术

低压差线性稳压器是一种集成电路稳压器，具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。且通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比。

低压差线性稳压器一般包括由功率管和误差放大器组成的反馈环路，以提供与目标电压相等的输出电压。目前功率管的尺寸都比较大，尤其当功率管属于f工艺角范畴内的PMOS管时，在达到一定温度时功率管的源极到漏极之间会产生较大的漏电流。漏电流过高时会使得输出电压被拉高，进而反馈环路中误差放大器输出误差电压以控制功率管关闭，然而漏电流的存在仍会将低压差线性稳压器的输出电压抬高，进而使得低压差线性稳压器不能正常工作。

传统处理方式一般通过在低压差线性稳压器的输出端连接一恒定大电流源以吸收掉漏电流。然而上述方式在不存在漏电流或者漏电流对输出端不影响时仍会提供一个恒定大电流，导致低压差线性稳压器的静态功耗增大。

因此，期待一种改进的低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种既能正常工作又能满足低静态功耗的要求的低压差线性稳压电路及其芯片、电子设备。

根据本发明的一方面，提供一种低压差线性稳压电路，包括：

功率管和采样电阻，串联连接在电源电压与接地端之间，功率管和采样电阻之间的连接节点输出输出电压；

第一误差放大器，第一输入端接收输出电压，第二输入端接收第一基准电压，输出端与功率管的控制端连接；以及

补偿模块，与功率管和采样电阻之间的连接节点连接，用于当低压差线性稳压电路所处的环境温度高于第一阈值时产生指数电流以补偿所述功率管产生的漏电流，

其中，所述补偿模块在环境温度低于第一阈值时关断。

可选地，所述补偿模块包括：

第一晶体管，漏极与栅极连接并与接地端连接；以及

补偿控制单元，与所述第一晶体管的源级连接提供第二基准电压，以及与所述第一晶体管的衬底端连接提供具有负温度系数的基准电压，使得所述第一晶体管在环境温度低于第一阈值时工作在截止区，在环境温度高于第一阈值时工作在亚阈值区以在功率管和采样电阻之间的连接节点与接地端之间产生所述指数电流。

可选地，所述补偿控制单元包括：

负反馈单元，与所述第一晶体管的源极连接以提供第二基准电压；以及

偏置单元，与所述第一晶体管的衬底端连接以提供偏置电压，所述偏置电压随环境温度升高而降低，

其中，所述第一晶体管与所述功率管为采用相同工艺制造得到的PMOS管，且所述第一晶体管的沟道尺寸小于所述功率管的沟道尺寸。

可选地，所述第一基准电压和所述第二基准电压为带隙基准电压的分压电压。

可选地，所述偏置单元包括：

电流源；以及