[发明专利]一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法

权利要求书

1.一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述方法如下：

步骤S1：将原箔至于70 - 80℃、0.2% - 4 %氢氧化钠溶液中浸泡1-2min前处理后，用纯水洗涤；

步骤S2：将步骤S1中得到的原箔，置于发孔液中，以上N极，下S极，强度为0.02T-0.12 T的恒定磁场强度；以电流范围为0.20 A/cm^-2-0.25 A/cm^-2恒电流，每40-60s的时间间隔进行3-5次发孔腐蚀处理后，用纯水洗净；

步骤S3：将步骤S2中得到的发孔箔，置于扩孔液中，以电流范围为0.16A/cm^-2-0.18A/cm^-2恒电流，每20-30s的时间间隔进行7-9次扩孔腐蚀处理后，用纯水洗净；

步骤S4：将步骤S3得到的扩孔箔，置于HCl溶液中处理，纯水洗净后，再置于HNO₃溶液中处理后，纯水洗净；

步骤S5：将步骤S4中得到的扩孔箔置于烘箱中热处理后，冷却至常温；

步骤S6：将步骤S5中得到的扩孔箔进行化成处理，洗净烘干后得到成品箔；

其中，在步骤S2中发孔液中加入钡铁氧体磁粉驱动有机消泡剂以水为载体的水溶液BFE，所述有机消泡剂为有机醚类或有机硅类。

2.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述水溶液BFE的制备方法如下：将1-1.5g/L的50-100nm钡铁氧体磁粉、2-5g/L的聚氧丙烯醚与水在常温下超声混合均匀得到水溶液BFE。

3.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，步骤S1中所述原箔厚度为125-135μm。

4.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，步骤S2中所述发孔液为3%- 5 % HCl、30%- 50 % H₂SO₄、0.5%-3 % Al、0.02%-0.05%水溶液BFE。

5.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述步骤S2中强度为0.06T，以0.20 A/cm^-2的恒电流密度，60s的时间间隔进行5次发孔腐蚀处理。

6.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，步骤S3中所述扩孔液为3%-8 % HNO₃、0.07%- 0.14%H₃PO₄、0.02%-0.05%缓蚀剂。

7.根据权利要求6所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述缓蚀剂为聚乙二醇。

8.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述步骤S3中以0.16A/cm^-2的恒电流密度，28s的时间间隔进行9次扩孔腐蚀处理。

9.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述步骤S4的具体如下，将步骤S3得到的扩孔箔，置于55-65℃、2.5%-5%的HCl溶液中处理40-60s，纯水洗净后，再置于55-65℃、2.5%-5%的HNO₃溶液中处理40-60s，纯水洗净。

10.根据权利要求1所述的制备成品箔的抑制外加磁场发孔技术纳米级氢水磁悬液泡方法，其特征在于，所述步骤S5中烘箱温度为60-180℃。