[发明专利]一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法

说明书

本发明属于铝电解电容器技术领域，具体涉及一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，在进行发孔腐蚀步骤时，通过添加纳米级的钡铁氧体磁粉、有机消泡剂超声均匀后配置水溶液BFE，添加于槽液中，以磁粉驱动有机消泡剂以水为载体，抑制纳米级氢水磁悬液泡产生，通过抑制纳米级氢水液泡产生，降低支孔形成的概率，提升成品箔的容量与强度。

技术领域

本发明属于铝电解电容器技术领域，具体涉及一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法。

背景技术

箔是其重要的原材料，现有技术中高压铝箔的电机腐蚀工艺一般包括前处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀、后处理等步骤，对于HCl-H₂SO₄体系，通过在腐蚀槽外添加磁场，控制槽液内的涡流效应，可以显著改善铝箔在发孔过程中，双电层界面上的Cl^-与SO₄^2-的相对浓度与离子传递效率。同时，外加耦合磁场能够抑制氧化铝层的过度生长，提升Cl^-在蚀孔隧道吸附量，提升有效腐蚀，大大提升残芯的均一性。

然而，该技术下存在以下问题：磁致涡流效应会使槽中产生大量纳米级氢水磁悬液泡，并使其无法快速逸散，堵塞在蚀孔底部，影响进一步发孔，从而使得隧道内产生支孔，影响成品箔的容量与强度。因此，该项技术仍需改进。

发明内容

本发明针对上述现有技术存在的问题，提供一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种制备成品箔的抑制纳米级氢水磁悬液泡方法，所述方法如下：

步骤S1：将原箔至于70 - 80℃、0.2% - 4 %氢氧化钠溶液中浸泡1-2min前处理后，用纯水洗涤；

步骤S2：将步骤S1中得到的原箔，置于发孔液中，以上N极，下S极，强度为0.02T-0.12 T的恒定磁场强度；以电流范围为0.20 A/cm^-2-0.25 A/cm^-2恒电流，每40-60s的时间间隔进行3-5次发孔腐蚀处理后，用纯水洗净；

步骤S3：将步骤S2中得到的发孔箔，置于扩孔液中，以电流范围为0.16A/cm^-2-0.18A/cm^-2恒电流，每20-30s的时间间隔进行7-9次扩孔腐蚀处理后，用纯水洗净；

步骤S4：将步骤S3得到的扩孔箔，置于HCl溶液中处理，纯水洗净后，再置于HNO₃溶液中处理后，纯水洗净；

步骤S5：将步骤S4中得到的扩孔箔置于烘箱中热处理后，冷却至常温；

步骤S6：将步骤S5中得到的扩孔箔进行化成处理，洗净烘干后得到成品箔；

其中，在步骤S2中发孔液中加入钡铁氧体磁粉驱动有机消泡剂以水为载体的水溶液BFE，所述有机消泡剂为有机醚类或有机硅类。

优选的，所述水溶液BFE的制备方法如下：将1-1.5g/L的50-100nm钡铁氧体磁粉、2-5g/L的聚氧丙烯醚与水在常温下超声混合均匀得到水溶液BFE。

优选的，步骤S1中所述原箔厚度为125-135μm。

优选的，步骤S2中所述发孔液为3%- 5 % HCl、30%- 50 % H₂SO₄、0.5%-3 % Al、0.02%-0.05%水溶液BFE。

优选的，所述步骤S2中强度为0.06T，以0.20 A/cm^-2的恒电流密度，每60s的时间间隔进行5次发孔腐蚀处理。

优选的，步骤S3中所述扩孔液为3%-8 % HNO₃、0.07%- 0.14%H₃PO₄、0.02%-0.05%缓蚀剂。

优选的，所述缓蚀剂为聚乙二醇。