[发明专利]半导体封装结构在审
| 申请号： | 202211717716.4 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116031229A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;文雨;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括封装框架，所述封装框架上设置有载片台，所述载片台上设置有芯片模组，所述芯片模组包括第一芯片、第二芯片和支撑架，所述支撑架包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面的一侧与所述载片台连接，所述第一表面的另一侧悬空，与所述载片台形成收纳空间；所述第一芯片设置于所述支撑架的第二表面上；所述第二芯片设置于所述载片台上，部分所述第二芯片位于所述收纳空间内。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑架悬空一侧的厚度小于另一侧的厚度。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述支撑架悬空一侧的厚度为0.5mm～1mm，另一侧的厚度为1mm～2mm。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为FRD芯片；或，所述第一芯片为FRD芯片，所述第二芯片为IGBT芯片。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括栅极焊盘和源极焊盘，所述栅极焊盘通过栅极引线与所述IGBT芯片的栅极压焊点电连接，所述源极焊盘通过第一源极引线与所述IGBT芯片的源极压焊点连接。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，所述栅极引脚与所述栅极焊盘连接，所述漏极引脚与所述IGBT芯片的漏极连接，所述源极引脚与所述源极焊盘连接。
7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述FRD芯片包括相对设置的阳极面和阴极面，所述FRD芯片的阳极面背向所述载片台，所述FRD芯片的阳极面通过第二源极引线与所述源极焊盘连接。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二芯片的表面设置有绝缘层，所述第二芯片通过所述绝缘层与所述支撑架绝缘。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片与所述支撑架之间具有间隔。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述间隔为0.3mm～1mm。
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